[發明專利]一種小磨頭輔助大氣等離子體拋光碳化硅反射鏡方法在審
| 申請號： | 202010420477.0 | 申請日： | 2020-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN111515769A | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 宋力;徐學科;頓愛歡;王哲;吳倫哲;彭冰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B13/00;B24B27/033;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 張寧展 |
| 地址： | 201800 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 小磨頭 輔助 大氣 等離子體 拋光 碳化硅 反射 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種小磨頭輔助大氣等離子體拋光SiC反射鏡方法，其特征是該拋光方法包括以下步驟：
步驟一：將待加工SiC反射鏡放置在大氣等離子體設備加工平臺上，開啟大氣等離子體，以He為載氣，CF4氣體為反應氣體，O2為輔助氣體，調節通入等離子體炬的氣體流量，其中He流量范圍：1-5L/min、CF4流量范圍：0-55mL/min、O2流量范圍：0-25mL/min、點火功率：30-55W，產生等離子體射流，并發生化學反應：SiC+4F*+2O→SiF4↑+CO2↑，生成反應物為氣體揮發；利用大氣等離子體射流對SiC反射鏡進行拋光，拋光結束后關閉氣體，工件表面有殘留物；
步驟二：對拋光后的SiC反射鏡進行檢測，得到SiC反射鏡面形PV值和粗糙度Ra值；將SiC反射鏡移動到小磨頭拋光設備工作臺上，用細金剛石粉作為拋光磨料，對沉積層快速去除，觀察到表面沉積物直至全部去除后停止拋光；
步驟三：將小磨頭加工后的SiC反射鏡進行超聲清洗，并采用XPS檢測工件表面化學成分，確保沉積物全部被。
2.根據權利要求1所述的一種小磨頭輔助大氣等離子體拋光SiC反射鏡方法，其特征在于：所述的小磨頭拋光設備的小磨頭拋光盤為直徑50mm的瀝青盤，拋光壓力為15N，工具轉速200r/min。
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