[發明專利]反轉銅箔生產工藝

在審

• 申請號: 202010414897.8
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111424294A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 萬新領;高元亨;何宏楊;羅志藝
• 申請（專利權）人: 惠州聯合銅箔電子材料有限公司
• 主分類號: C25D1/04
• 分類號: C25D1/04;C23G1/10;C25F3/02;C25D3/56;C09D183/04;C09D167/00;C09D7/63
• 代理公司: 廈門原創專利事務所(普通合伙) 35101
• 代理人: 梁英

1.反轉銅箔生產工藝，包括電解生箔及表面處理，其特征在于，所述表面處理包括：微蝕→酸洗→粗化→水洗→固化→水洗→粗化→水洗→固化→水洗→表面合金化處理→水洗→表面抗氧化處理→水洗→鈍化→在毛面上涂覆抗粘膜→硅烷化處理→干燥，所述涂覆抗粘膜中各組分的組成以及含量為，有機氯硅烷35.5～46wt％、機聚硅氧烷樹脂27.8～33wt％、氨基硅烷12.7～20.1wt％、聚酯樹脂10.2～12.2wt％、酸性白土催化劑2～8.2wt％，所述涂覆抗粘膜的厚度為3μm。

2.根據權利要求1所述的反轉銅箔生產工藝，其特征在于，在所述抗粘膜涂覆過程中，先用粘合帶附著到反轉銅箔的光面并將其光面全面覆蓋，然后用H₂SO₄酸洗所述反轉銅箔的毛面，然后進行所述抗粘膜的涂覆，H₂SO₄的濃度為70～90g/L，酸洗過程前先用濃度為20～50g/L H₂SO₄溶液浸泡0.5h，然后置于濕度為35～45％RH下保持0.5h。

3.根據權利要求2所述的反轉銅箔生產工藝，其特征在于，將涂覆完成的反轉銅箔置于20℃和60％RH下，并保持0.5h，再采用0.4mm厚度的橡膠膜附著到經抗粘膜涂覆的毛面上后，使其涂覆面朝上，然后用圓形滾筒來按壓所述反轉銅箔，并在高溫60℃下保持0.5h，再20℃下保持0.5h，然后撤掉所述橡膠模。

4.根據權利要求3所述的反轉銅箔生產工藝，其特征在于，所述圓形滾筒的負載為15g/cm²，所述圓形滾筒的筒壁厚度為0.2mm。

5.根據權利要求4所述的反轉銅箔生產工藝，其特征在于，粗化的工藝條件為，Cu²⁺ 10～23g/L，H₂SO₄ 100～130g/L，Mg²⁺ 1.5～3g/L，Cl^- 10×10^-6，Mg²⁺1.5～3g/L電流密度D_k 30～50A/dm2，電鍍時間t 5～10s，添加劑為，Lu₂O₃ 7～10g/L，NiSO₄ 1～5g/L，并且進行防氧化處理；固化的工藝條件為:Cu²⁺ 20～30g/L，H₂SO₄ 50～70g/L，Cl^- 10×10^-6；電流密度D_k10～20A/dm2，電鍍時間t 5～10s。

6.根據權利要求5所述的反轉銅箔生產工藝，其特征在于，表面合金化處理采用電鍍鋅鎳鈷合金，電鍍鋅鎳鈷合金的工藝條件為:NiSO₄·6H₂O 13～20g/L，ZnSO₄·7H₂O 10～14g/L，CoSO₄·7H₂O 5～7g/L，絡合劑100～120g/L，添加劑Lu₂O₃ 7～10g/L，NiSO₄ 1～5g/L；電鍍溫度50～60℃，pH 7～11，電流密度D_k5～6A/dm²，電鍍時間t 5～10s，鈍化的工藝條件為:Cr³⁺ 3～5g/L，NaOH 10～20g/L，ZnO 2～4g/L；電流密度D_k 2～5A/dm²，電鍍時間t 5～10s。

7.根據權利要求6所述的反轉銅箔生產工藝，其特征在于，所述烘干溫度為100～150℃。