[發明專利]顯示設備和制造顯示設備的方法在審
| 申請號: | 202010411795.0 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN112018151A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 柳夏覽;金相烈;魯碩原 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
本申請提供了顯示設備和用于制造顯示設備的方法。顯示設備包括顯示面板和第一模塊,顯示面板包括具有第一透射率的第一區域以及具有高于第一透射率的第二透射率的第二區域,第一模塊在第二區域的下方,其中,顯示面板包括基底層、電路層、第一像素電極、第二像素電極、第一堆疊結構和第二堆疊結構,其中,電路層在基底層上,第一像素電極電連接至電路層并且在第一區域中,第二像素電極電連接至電路層并且在第二區域中,第一堆疊結構在電路層上并且鄰近第一像素電極,第二堆疊結構在電路層上、鄰近第二像素電極并且與第一堆疊結構不同。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年5月30日提交的第10-2019-0063794號韓國專利申請的優先權和利益,該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。
技術領域
在本文中,本公開的一些示例性實施方式的方面涉及顯示設備和用于制造顯示設備的方法。
背景技術
顯示設備可包括各種電子組件,諸如,用于顯示圖像的顯示面板、用于感測外部輸入的輸入感測構件、以及電子模塊。電子組件可通過不同地布置的信號線電連接至彼此。顯示面板可包括用于生成圖像的發光元件。輸入感測構件可包括用于感測外部輸入的感測電極。電子模塊可包括相機、紅外傳感器和/或接近傳感器。
電子模塊可位于顯示面板的下方。孔可設置在顯示面板的與電子模塊重疊的一部分中。可利用激光移除顯示面板的一些組件以形成孔。在激光過程中,可生成顆粒和/或可通過加熱使顯示面板的形狀發生變形。
在該背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對背景技術的理解,并且因此在該背景技術部分中討論的信息不必構成現有技術。
發明內容
本公開的一些示例性實施方式的方面可提供能夠減小或最小化缺陷率的顯示設備和用于制造顯示設備的方法。
根據發明構思的一些示例性實施方式,顯示設備可包括顯示面板和第一模塊,顯示面板包括具有第一透射率的第一區域和具有高于第一透射率的第二透射率的第二區域,第一模塊在第二區域的下方。顯示面板可包括基底層、電路層、第一像素電極、第二像素電極、第一堆疊結構和第二堆疊結構,其中,電路層在基底層上,第一像素電極電連接至電路層并且設置在第一區域中,第二像素電極電連接至電路層并且設置在第二區域中,第一堆疊結構設置在電路層上并且鄰近第一像素電極設置,第二堆疊結構設置在電路層上、鄰近第二像素電極并且與第一堆疊結構不同。
根據一些示例性實施方式,第一堆疊結構可包括設置在電路層上并且暴露第一像素電極的至少一部分的第一中間層和設置在第一中間層上的第一間隔物。當在平面圖中觀察時,第一間隔物的面積可小于第一中間層的面積。
根據一些示例性實施方式,第二堆疊結構可包括設置在電路層上并且覆蓋第二像素電極的第二中間層和設置在第二中間層上的第二間隔物。
根據一些示例性實施方式,當在平面圖中觀察時,第二中間層的面積可等于第二間隔物的面積。
根據一些示例性實施方式,第一中間層和第二中間層可包括相同的材料并且可設置在相同的層上。
根據一些示例性實施方式,第一堆疊結構的第一最大厚度可大于第二堆疊結構的第二最大厚度。
根據一些示例性實施方式,第二堆疊結構可包括設置在與第一中間層相同的層上的第二中間層。
根據一些示例性實施方式,顯示面板還可包括具有高于第二透射率的第三透射率的第三區域。在該情況中,顯示設備還可包括在第三區域下方的第二模塊。顯示面板還可包括電連接至電路層并且設置在第三區域中的第三像素電極。
根據一些示例性實施方式,第一中間層和第一間隔物可以不設置在第三區域中。
根據一些示例性實施方式,第一堆疊結構可包括m層,第二堆疊結構可包括n層,并且m可大于n。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





