[發明專利]平坦化設備

在審

• 申請號: 202010401404.7
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN112242317A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 侯德謙;顏于婷;郭政雨;陳志宏;洪偉倫;陳科維
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開實施例涉及一種化學機械平坦化系統，包括一電容去離子模塊，以從一溶液中移除離子。本公開實施例亦公開了使用前述化學機械平坦化系統的方法。在一實施例中，一種平坦化設備包括一平坦化單元，用以平坦化一晶圓；一清潔單元，用以清潔前述晶圓；一晶圓輸送單元，用以在平坦化單元和清潔單元之間輸送晶圓；以及一電容去離子模塊，用以移除一溶液中的離子，所述溶液是在平坦化單元或清潔單元的至少一者中使用。

技術領域

本公開實施例涉及一種平坦化設備。更具體地來說，本公開實施例涉及一種可移除溶液中的離子的平坦化設備。

背景技術

半導體裝置應用于各種電子應用元件中，例如個人電腦、手機、數碼相機及其他電子裝置。半導體裝置的制造通常包含按序沉積絕緣或介電層、導電層、以及半導體層的材料于半導體基板上，并利用微影制程圖案化各種材料層，以形成電子元件或零件于半導體基材上。

通過各種電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的最小特征尺寸持續微縮，半導體工業持續增進電子元件的集成密度，而使更多的元件能整合于預定面積中。然而，隨著最小特征尺寸的減少，出現了其他需被解決的問題。

發明內容

本公開實施例包括一種平坦化設備，包括一平坦化單元，用以平坦化一晶圓；一清潔單元，用以清潔前述晶圓；一晶圓輸送單元，用以在平坦化單元和清潔單元之間輸送晶圓；以及一電容去離子模塊，用以移除一溶液中的離子，所述溶液是在平坦化單元或清潔單元的至少一者中使用。

本公開實施例亦包括一種平坦化方法，包括將虛設柵極層沉積在一晶圓上；將一虛設介電層沉積在虛設柵極層之上；利用化學機械平坦化制程平坦化虛設介電層；對晶圓施行一后化學機械平坦化清潔制程；對晶圓施行一干燥制程；以及利用一電容去離子模塊從化學機械平坦化溶液移除離子，所述化學機械平坦化溶液是在化學機械平坦化制程、后化學機械平坦化清潔制程、或干燥制程中使用。

本公開實施例又包括一種平坦化設備，包括一平坦化單元，用以平坦化一晶圓，平坦化單元包括一高速平臺和一擦光平臺；一清潔單元，用以清潔前述晶圓，清潔單元包括一槽清潔模塊、一化學機械清潔模塊、一刷具清潔模塊、以及一蒸汽干燥模塊；一晶圓輸送單元，用以在平坦化單元和清潔單元之間輸送晶圓；以及一電容去離子模塊，用以移除一溶液中的離子，所述溶液是在平坦化單元或清潔單元中使用。

附圖說明

圖1是表示依據一些實施例，鰭式場效晶體管的示例的三維視圖。

圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9是表示依據一些實施例，制造鰭式場效晶體管的中間階段的剖面視圖。

圖10是表示依據一些實施例，化學機械平坦化系統的平面圖。

圖11、圖12、圖13A、圖13B、圖14A、圖14B是表示依據一些實施例，電容去離子模塊的剖視圖。

圖15是表示依據一些實施例，高速平臺/擦光平臺的側視圖。

圖16是表示依據一些實施例，槽清潔模塊的側視圖。

圖17是表示依據一些實施例，化學機械清潔模塊的側視圖。

圖18是表示依據一些實施例，刷具清潔模塊的側視圖。

圖19是表示依據一些實施例，蒸汽干燥模塊的側視圖。

圖20、圖21A、圖21B、圖22A、圖22B、圖23A、圖23B、圖23C、圖23D、圖24A、圖24B、圖25A、圖25B、圖26A、圖26B、圖27A、圖27B、圖27C、圖28A、圖28B、圖29A、圖29B是表示依據一些實施例，制造鰭式場效晶體管的中間階段的剖面視圖。

其中，附圖標記說明如下：

50：基板