[發明專利]基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法在審
| 申請號: | 202010396987.9 | 申請日: | 2020-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN111682022A | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發明(設計)人: | 任潔;楊若婷;高小平;王鎮 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/18 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人: | 錢文斌;黃志達 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 jtl 布局 布線 超導 集成電路設計 方法 | ||
1.一種基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)對單元庫的單元數據接口進行割分偏置圈的處理,并留出通孔的位置;
(2)按照電路邏輯原理圖對邏輯單元層上的單元進行布局擺設;
(3)采用邏輯單元層的JTL和分路單元進行每個單元的時鐘線連接;
(4)使用位于與所述邏輯單元層不在同一層的橫向JTL布線層和縱向JTL布線層的JTL對每個單元進行數據連接,其中,所述橫向JTL布線層的JTL作為單元之間數據橫向的布線單元,所述縱向JTL布線層的JTL作為單元之間數據縱向的布線單元,上層的JTL與下層的單元數據接口的位置通過調用通孔實現連接。
2.根據權利要求1所述的基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法,其特征在于,所述步驟(1)中留出的通孔寬度小于或等于所述偏置線圈的寬度。
3.根據權利要求1所述的基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法,其特征在于,所述步驟(2)在邏輯電路單元進行布局擺設時遵循格點原則。
4.根據權利要求1所述的基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法,其特征在于,所述邏輯單元層包括從上而下設置的接地層、上配線層和底電極配線層,所述底電極配線層上連接有電阻,所述上配線層上連接有標準的約瑟夫森三層膜結,其中,所述底電極配線層作為信號走線,所述上配線層作為偏置走線。
5.根據權利要求1所述的基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法,其特征在于,所述步驟(4)中的橫向JTL布線層與所述縱向JTL布線層為異層結構。
6.根據權利要求1所述的基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法,其特征在于,所述橫向JTL布線層包括從上而下設置的接地層、上配線層和底電極配線層,所述上配線層上連接有自分路約瑟夫森結,其中,所述底電極配線層作為信號走線,所述上配線層作為偏置走線。
7.根據權利要求1所述的基于異層JTL布局布線的超導集成電路設計方法,其特征在于,所述縱向JTL布線層包括從上而下設置的接地層、上配線層和底電極配線層,所述上配線層上連接有自分路約瑟夫森結,其中,所述底電極配線層作為信號走線,所述上配線層作為偏置走線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





