[發明專利]一種半導體處理系統

在審

• 申請號: 202010394080.9
• 申請日: 2020-05-11
• 公開（公告）號: CN113644005A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 陶珩;尹志堯
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;張妍

1.一種半導體處理系統，包括：一個縱長形的傳輸腔，所述傳輸腔包括中間部、位于中間部兩端的第一端部和第二端部，中間部上的第一側壁和第二側壁上分別設置至少一組側面半導體處理模塊，每組側面半導體處理模塊包括兩個處理腔，所述每組側面半導體處理模塊的處理腔通過各自的氣密閥門連接到所述傳輸腔中間部的第一或第二側壁；

所述傳輸腔的第一端部通過真空鎖與大氣環境相連；

所述傳輸腔的第二端部連接有一組端部半導體處理模塊，所述端部半導體處理模塊包括兩個處理腔，所述端部半導體處理模塊的兩個處理腔分別通過一個氣密閥門連接到所述第二端部的端面，所述端部半導體處理模塊的兩個氣密閥門具有一跨接距離(D4)，所述端面的寬度大于等于所述跨接距離，所述傳輸腔中間部第一側壁和第二側壁的間距(D2)小于所述跨接距離。

2.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于，所述中間部的第一側壁上連接有第一、第三兩組側面半導體處理模塊，第二側壁上連接有第二、第四兩組側面半導體處理模塊；

其中第一、第三側面半導體處理模塊在沿所述傳輸腔的縱長方向上具有第一間隙空間，所述第一間隙空間用于對第一、三側面半導體處理模塊中與所述第一間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護；

其中第二、第四側面半導體處理模塊在沿傳輸腔的縱長方向上具有第二間隙空間，所述第二間隙空間用于對第二、第四側面半導體處理模塊中與所述第二間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護。

3.如權利要求2所述的半導體處理系統，其特征在于，所述第一或第二間隙空間中設置有至少一個暫存腔，所述暫存腔與所述傳輸腔相連通，用于存放基片或者處理腔內環狀部件的替換件。

4.如權利要求3所述的半導體處理系統，其特征在于，所述第一和第二間隙空間中分別設置一個暫存腔。

5.如權利要求4所述的半導體處理系統，其特征在于，所述暫存腔具有不同的尺寸，所述暫存腔用于存放基片和/或處理腔內環狀部件的替換件。

6.如權利要求3所述的半導體處理系統，其特征在于，所述暫存腔的前端側壁穿過所述傳輸腔的側壁伸入所述傳輸腔內。

7.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于，所述端部半導體處理模塊和/或側面半導體處理模塊中的兩個處理腔集成為一體，具有共用的側壁。

8.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于，所述側面半導體處理模塊中的兩個處理腔之間具有間隙，所述間隙小于100mm。

9.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于，所述傳輸腔的第二端部包括逐漸向兩側半導體處理模塊延伸的側壁，使得第二端部中傳輸腔側壁之間的距離從中間段的側壁間距(D2)逐漸擴展到所述端面的寬度。

10.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于，所述傳輸腔包括一個軌道，一個可移動機械傳輸裝置可沿所述軌道運動，用于實現各個處理腔和所述真空鎖之間的基片傳輸。

11.如權利要求10所述的半導體處理系統，其特征在于，所述可移動機械傳輸裝置包括一個可移動基座和兩個機械臂。

12.如權利要求10所述的半導體處理系統，其特征在于，所述可移動機械傳輸裝置運動到與側面半導體處理模塊相對的位置時，取放所述位置相對的側面半導體模塊中的基片；運動到靠近所述第二端部位置時，取放端部半導體處理模塊的基片。

13.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于，所述側面半導體處理模塊或端部半導體處理模塊中的處理腔具有不同的尺寸，用于執行不同的處理工藝。

14.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于，所述側面半導體處理模塊和端部半導體處理模塊中的處理腔執行相同的處理工藝。