[發明專利]一種小型化基片集成波導全可調濾波器在審
| 申請號: | 202010384734.X | 申請日: | 2020-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN111600102A | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發明(設計)人: | 朱永忠;張懌成;周小飛 | 申請(專利權)人: | 中國人民武裝警察部隊工程大學 |
| 主分類號: | H01P1/208 | 分類號: | H01P1/208;H01P1/20 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 劉強強 |
| 地址: | 710086 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 小型化 集成 波導 可調 濾波器 | ||
1.一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:包括從上至下依次層疊的上介質層(1)、上金屬層(2)、中間介質層(3)、中間金屬層(4)、下介質層(5)和下金屬層(6),金屬通孔陣列(7)從上至下貫通中間金屬層(4)的邊緣形成級聯諧振腔,級聯諧振腔由兩個雙重折疊四分之一模基片集成波導諧振腔通過中間金屬層(4)的耦合窗口(41)耦合,
所述上介質層(1)上設置有多對PIN二極管(10)和多個變容二極管,
PIN二極管(10)的陰極與上金屬層(2)相接,PIN二極管(10)的陽極與中間金屬層(4)相接,多對PIN二極管(10)分別沿中間金屬層(4)的耦合窗口(41)對稱布設;
所述變容二極管的陰極與上金屬層(2)相接,變容二極管的陽極與中間金屬層(4)相接,多個所述變容二極管包括布設在耦合窗口(41)頂部在上介質層(1)對應位置的第一變容二極管(91)和布設在耦合窗口(41)中段在上介質層(1)對應位置的第二變容二極管(92)。
2.按照權利要求1所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述雙重折疊四分之一模基片集成波導諧振腔是將全模諧振腔沿等效磁壁進行兩次平分后,再沿長度和寬度方向進行兩次折疊得到。
3.按照權利要求1所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述中間金屬層(4)的耦合窗口(41)上方開設有縫隙(11)。
4.按照權利要求3所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述縫隙(11)的尺寸可調。
5.按照權利要求3所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述縫隙(11)呈倒U型。
6.按照權利要求1所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述PIN二極管(10)和變容二極管的兩端分別通過細微帶線(12)引出到上介質層(1)的邊緣,所述細微帶線(12)接有導線。
7.按照權利要求1所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述PIN二極管(10)通過第一金屬化調諧柱(13)與中間金屬層(4)相接,所述PIN二極管(10)通過第二金屬化調諧柱(14)與中間金屬層(4)相接,所述上介質層(1)上開設有供所述第一金屬化調諧柱(13)和第二金屬化調諧柱(14)穿過的通孔(8),上金屬層(2)上開設有供所述第一金屬化調諧柱(13)穿過的空隙。
8.按照權利要求1所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述PIN二極管(10)布設在金屬通孔陣列(7)與耦合窗口(41)在上介質層(1)對應位置所圍設的區域內。
9.按照權利要求1所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述第二變容二極管(92)的數量為多個。
10.按照權利要求1所述的一種小型化基片集成波導全可調濾波器,其特征在于:所述第一變容二極管(91)的數量為至少一個。
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