[發明專利]晶圓及其制備方法和定位校準方法

在審

• 申請號: 202010375948.0
• 申請日: 2020-05-07
• 公開（公告）號: CN111554661A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 畢迪
• 申請（專利權）人: 上海果納半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L29/06;H01L21/68
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種晶圓，其特征在于，包括晶圓本體，所述晶圓本體的表面設置有定位校準部，所述定位校準部浮凸或者凹陷設置于所述晶圓本體的表面。

2.根據權利要求1所述的晶圓，其特征在于，所述定位校準部浮凸設置于所述晶圓本體的表面，所述定位校準部形成為柱狀且垂直于所述晶圓本體的表面。

3.根據權利要求2所述的晶圓，其特征在于，所述定位校準部形成為多邊形棱柱。

4.根據權利要求2所述的晶圓，其特征在于，所述定位校準部的橫截面形成為扇形，所述定位校準部的邊緣與所述晶圓本體的邊緣相平齊。

5.根據權利要求1所述的晶圓，其特征在于，所述定位校準部設在所述晶圓本體的邊緣處。

6.一種晶圓的制備方法，其特征在于，包括：

提供待處理晶圓；

處理所述待處理晶圓，在所述待處理晶圓表面形成定位校準部，所述定位校準部浮凸或凹陷于所述待處理晶圓的表面。

7.根據權利要求6所述的晶圓的制備方法，其特征在于，處理所述待處理晶圓時，包括以下步驟中：

在所述待處理晶圓的表面形成定位薄膜層，對所述定位薄膜層進行圖形化處理，去除部分所述定位薄膜層以在所述待處理晶圓的表面形成所述定位校準部。

8.一種晶圓的定位校準方法，其特征在于，包括：

將晶圓置于承載臺上；

圖像采集裝置采集所述晶圓的實際位置圖像；

將所述實際位置圖像與所述晶圓位于基準位置的基準圖像進行比較分析，獲取所述實際位置圖像和所述基準圖像的偏差數據；

根據所述偏差數據調節所述晶圓的傳送裝置的取片位置。

9.根據權利要求8所述的晶圓的定位校準方法，其特征在于，在將所述實際位置圖像與所述晶圓位于基準位置的基準圖像進行比較分析，獲取所述實際位置圖像和所述基準圖像的偏差數據步驟中，將所述實際位置圖像與所述基準圖像對比分析，以獲取晶圓的外輪廓和/或定位校準部的偏差數據，根據所述偏差數據調節所述晶圓的傳送裝置。

10.根據權利要求8所述的晶圓的定位校準方法，其特征在于，所述圖像采集裝置為多個，多個所述圖像采集裝置設在所述承載臺的不同位置處以獲取所述晶圓的不同角度的實際位置圖像和基準圖像。