[發(fā)明專利]具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010350874.5
• 申請日: 2020-04-28
• 公開（公告）號: CN111463263B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳健
• 申請（專利權(quán)）人: 上海晶豐明源半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海大視知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31314
• 代理人: 蔡沅

1.一種具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，包括：

襯底；

N型漂移漏極區(qū)域，覆蓋于所述的襯底之上；

P-體區(qū)，形成于所述N型漂移漏極區(qū)域頂部的部分區(qū)域中；

N摻雜區(qū)，形成于所述N型漂移漏極區(qū)域頂部的另一部分區(qū)域中；

柵極氧化層，包括覆蓋于所述的P-體區(qū)與部分N摻雜區(qū)之上的第一柵極氧化層，以及覆蓋于部分所述的N摻雜區(qū)與部分N型漂移漏極區(qū)域之上的第二柵極氧化層；

多晶硅沉積層，包括覆蓋于所述第一柵極氧化層之上的第一多晶硅沉積層，以及覆蓋于所述的第二柵極氧化層之上的第二多晶硅沉積層，所述的第一多晶硅沉積層作為柵極，所述的第二多晶硅沉積層作為控制柵；

高壓氧化層，位于所述N型漂移漏極區(qū)域與所述的第二多晶硅沉積層之間；

側(cè)墻層，設(shè)置于所述的第一多晶硅沉積層兩側(cè)及所述的第二多晶硅沉積層兩側(cè)；

P+摻雜區(qū)及第一N+摻雜區(qū)，形成于所述P-體區(qū)頂部，作為源極；

第二N+摻雜區(qū)，形成于所述N型漂移漏極區(qū)域頂部，作為漏極；

硅化層，包括形成于所述源極區(qū)域之上的第一硅化層，所述第一多晶硅沉積層之上的第二硅化層，所述第二多晶硅沉積層之上的第三硅化層，以及所述漏極區(qū)域之上的第四硅化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，

所述的高壓氧化層設(shè)置于所述的N型漂移漏極區(qū)域與部分所述的N摻雜區(qū)之上，且不具有所述的第二柵極氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，

所述的第一多晶硅沉積層設(shè)置于所述的第一柵極氧化層及部分所述的高壓氧化層之上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，所述的柵極和控制柵被物理隔絕開，所述的控制柵電學(xué)連接到所述的源極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，所述的柵極連接有柵極驅(qū)動電路，所述的控制柵連接有控制柵驅(qū)動電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，柵極控制信號通過所述的柵極驅(qū)動電路連接所述的柵極，該柵極控制信號經(jīng)由電壓檢測模塊及調(diào)壓模塊后產(chǎn)生新控制信號，所述新控制信號通過所述的控制柵驅(qū)動電路連接所述的控制柵。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，

所述的多晶硅沉積層，還包括至少一個(gè)作為控制柵的第三多晶硅沉積層，該第三多晶硅沉積層覆蓋于所述的第二柵極氧化層之上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，由所述的第三多晶硅沉積層形成的控制柵連接有各自對應(yīng)的控制柵驅(qū)動電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有場板結(jié)構(gòu)的低柵電荷器件，其特征在于，還包括：

硅化物阻擋層，設(shè)置于部分所述的高壓氧化層、部分所述的第二多晶硅沉積層以及該第二多晶硅沉積層一側(cè)的側(cè)墻層之上。