[發(fā)明專利]一種基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010345824.8 | 申請(qǐng)日： | 2020-04-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111458667A | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安柯萊特信息科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01R33/032 | 分類號(hào)： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710000 陜西省西安市高新區(qū)高*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 干涉 光纖 磁場(chǎng) 探測(cè)器 | ||
1.一種基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器，其特征在于，包括襯底、第一光纖、第二光纖、第一臂、第二臂、磁制熱層、磁制冷層、光源、光探測(cè)器，所述第一光纖、所述第二光纖、所述第一臂、所述第二臂置于所述襯底上，所述第一光纖的一端連接光源，所述第一光纖的另一端連接所述第一臂和所述第二臂，所述第一臂和所述第二臂的另一端連接所述第二光纖，所述第二光纖的另一端連接光探測(cè)器，所述磁制熱層包覆所述第一臂，所述磁制冷層包覆所述第二臂。
2.如權(quán)利要求1所述的基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器，其特征在于：所述磁制熱層由四氧化三鐵納米粒子構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器，其特征在于：所述磁制冷層為順磁鹽材料、重稀土元素的單晶或多晶材料、巨磁熱效應(yīng)材料。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器，其特征在于：還包括設(shè)置在所述襯底表面的凹槽，所述凹槽位于所述第一臂與所述第二臂之間。
5.如權(quán)利要求4所述的基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器，其特征在于：所述凹槽內(nèi)設(shè)有氣凝膠材料或硅酸鹽材料。
6.如權(quán)利要求5所述的基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器，其特征在于：在所述第一臂下部，設(shè)有所述磁制熱層。
7.如權(quán)利要求6所述的基于干涉式光纖的磁場(chǎng)探測(cè)器，其特征在于：在所述第二臂下部，設(shè)有所述磁制冷層。
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