[發明專利]一種用于晶圓與環形玻璃載板的蝕刻裝置在審
| 申請號: | 202010345298.5 | 申請日: | 2020-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN111403323A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 嚴立巍;施放;李景賢 | 申請(專利權)人: | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
| 地址: | 312000 浙江省紹興市越城區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 環形 玻璃 蝕刻 裝置 | ||
本發明公開了一種用于晶圓與環形玻璃載板的蝕刻裝置,屬于蝕刻設備領域。一種用于晶圓與環形玻璃載板的蝕刻裝置,包括:底座;支撐盤,水平布置于所述底座上,并與所述底座轉動連接,用于放置工件;夾具,固定安裝在所述支撐盤上,用于夾緊所述工件;腐蝕液噴嘴,設置于所述工件的上方,用于向所述工件的加工表面噴灑腐蝕液;保護性流體噴頭,所述布置于所述工件上方,用于向所述工件邊緣噴射流體。與現有的蝕刻裝置相比,本身申請的蝕刻裝置專用于蝕刻環形的玻璃載板與晶圓,通過噴射流體保護邊緣區域,并且能夠控制邊緣保護的寬度。
技術領域
本發明涉及蝕刻設備領域,具體涉及一種用于晶圓與環形玻璃載板的蝕刻裝置。
背景技術
現隨著IC芯片工藝技術的發展,晶圓直徑逐步增大到300mm,晶圓在封裝前的厚度越來越薄,為保證被加工對象的剛性/強度,降低碎片的風險,將晶圓與玻璃載板鍵合之后再進行后續的加工,已經成為半導體行業內的普遍做法。
由于使用中央薄化的玻璃載板搭載晶圓時,能夠優化后續的晶圓加工工藝。為了得到中央薄、邊緣厚環形玻璃載載板,需要通過蝕刻機對玻璃載板的表面進行蝕刻加工,但是目前現有技術中,沒有專用于環形玻璃載板的蝕刻設備,并且現有的蝕刻裝置無法較為精確地控制蝕刻區域的尺寸。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提出了一種用于晶圓與環形玻璃載板的蝕刻裝置,專用于加工中央薄、邊緣厚的環形玻璃載板,并且能控制環形玻璃載板環形部分的尺寸與形狀的技術問題。
本發明的目的可以通過以下技術方案實現:
一種用于晶圓與環形玻璃載板的蝕刻裝置,包括:
底座;
支撐盤,水平布置于所述底座上,并與所述底座轉動連接,用于放置工件;
夾具,固定安裝在所述支撐盤上,用于夾緊所述工件;
腐蝕液噴嘴,設置于所述工件的上方,用于向所述工件的加工表面噴灑腐蝕液;
保護性流體噴頭,所述布置于所述工件上方,用于向所述工件邊緣噴射流體。
進一步地,所述保護性流體噴頭包括輸液管道與多個噴頭,多個所述噴頭固定安裝在所述輸液管上,且沿著所述支撐盤的徑向布置。
進一步地,所述支撐盤上開設有若干通孔。
進一步地,還包括清洗噴嘴,所述清洗噴嘴噴射流體,清洗和/或烘干所述工件。
進一步地,所述清洗噴嘴噴射的流體為純水和/或氮氣。
進一步地,所述噴頭呈梳狀。
進一步地,還包括環形托盤,所述環形托盤圍繞所述支撐盤布置,其內環部低于所述工件的加工面,且其外沿高于所述工件的加工面。
進一步地,所述腐蝕液噴射的液體包括氫氟酸。
進一步地,所述保護性流體噴頭噴射的流體為氮氣或純水。
附圖說明
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。
圖1為本申請蝕刻裝置的立體結構示意圖;
圖2為本申請的蝕刻裝置中的腐蝕液溢流示意圖;
圖3為本申請的一個實施例中的保護性流體噴頭移動示意圖;
圖4為本申請的又一個實施例的多個多個保護性流體噴頭布置示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





