[發(fā)明專(zhuān)利]一種倒裝高壓發(fā)光二極管及發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010343028.0
• 申請(qǐng)日: 2020-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111416027B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐瑾;劉士偉;賴藝彬;溫兆軍;鄧有財(cái);張中英
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廈門(mén)三安光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/46
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/46;H01L33/62;H01L33/00;H01L25/16
• 代理公司: 廈門(mén)市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218
• 代理人: 黃斌

本發(fā)明涉及一種倒裝高壓發(fā)光二極管以及發(fā)光裝置，其中倒裝高壓發(fā)光二極管包括襯底和n顆子芯片，其中n大于等于3，n顆子芯片位于襯底上且彼此之間通過(guò)溝槽而相互獨(dú)立，每一子芯片包括一半導(dǎo)體發(fā)光堆疊層，每一子芯片的半導(dǎo)體發(fā)光堆疊層上以及溝槽內(nèi)都覆蓋有反射層；反射層上具有位于至少一其它子芯片上的至少一第一其它開(kāi)口和/或至少一第二其它開(kāi)口，該第一焊盤(pán)延伸至至少一其它子芯片上覆蓋的反射層表面上，且填充反射層的第一其它開(kāi)口，和/或第二焊盤(pán)延伸至至少一其它子芯片上覆蓋的反射層表面上，同時(shí)填充第二其它開(kāi)口，以提升倒裝高壓發(fā)光二極管整體的固晶能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種倒裝高壓發(fā)光二極管及發(fā)光裝置。

背景技術(shù)

倒裝結(jié)構(gòu)的芯片具有低熱阻、免打線的優(yōu)勢(shì)，高壓芯片具有高電壓、可簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的優(yōu)勢(shì)，因此一些研究機(jī)構(gòu)希望開(kāi)發(fā)出倒裝結(jié)構(gòu)的高壓芯片，以將兩者的優(yōu)勢(shì)相結(jié)合而發(fā)揮出來(lái)。高壓倒裝芯片憑借良好的散熱性能可應(yīng)用于照明、背光、RGB顯屏、柔性燈絲等大功率領(lǐng)域，然而高壓倒裝芯片越發(fā)關(guān)注焊盤(pán)在基板上的固晶能力，特別的是柔性基板上的固晶能力。

現(xiàn)有倒裝高壓發(fā)光二極管，包括至少三個(gè)子芯片10，其結(jié)構(gòu)如圖1～圖2所示，每一子芯片10包括半導(dǎo)體發(fā)光堆疊層，每一子芯片10之間具有溝槽，透明絕緣層105覆蓋每一子芯片的半導(dǎo)體發(fā)光堆疊層上和溝槽內(nèi)，第一電極106和第二電極107分別設(shè)置在首尾兩個(gè)子芯片的半導(dǎo)體發(fā)光堆疊層上，互連電極108設(shè)置在溝槽上，并跨過(guò)溝槽連接相鄰兩個(gè)子芯片，反射層109覆蓋在第一電極、第二電極、溝槽、互連電極以及每一子芯片的半導(dǎo)體發(fā)光序列上方和周?chē)?，反射?09為布拉格反射層，彼此電性相反的第一焊盤(pán)110和第二焊盤(pán)111分別覆蓋在首尾子芯片上的反射層109上，并且覆蓋在中間子芯片的表面上。

然而現(xiàn)有的倒裝高壓發(fā)光二極管存在如下技術(shù)問(wèn)題，以包括三顆子芯片的結(jié)構(gòu)為例，用于后續(xù)固定在封裝基板上時(shí)固晶用的第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)(P、N焊盤(pán))分別覆蓋在首尾各一顆子芯片上的反射層上以及分別覆蓋在一中間子芯片上的反射層上部分區(qū)域。在首尾兩顆子芯片上覆蓋的反射層109上各開(kāi)設(shè)通孔，第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)(P、N焊盤(pán))對(duì)應(yīng)填充通孔以分別連接內(nèi)部的第一電極和第二電極(P、N電極)。由于首尾各一顆子芯片的反射層109上設(shè)置有通孔，反射層的厚度至少2微米，使通孔的深度至少為2微米，第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)填充在反射層通孔內(nèi)，可明顯增加第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)在首尾兩顆子芯片上的表面積，然而第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)分別僅覆蓋在中間子芯片反射層109表面上。因此，焊盤(pán)在中間子芯片上的局部固晶能力還可以進(jìn)行進(jìn)一步改善，提升整體的固晶能力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種倒裝高壓發(fā)光二極管，以提升倒裝高壓發(fā)光二極管整體的固晶能力，包括：

一襯底；

n顆子芯片，n大于等于3，分別為第1子芯片、第n子芯片和至少一其它子芯片，n顆子芯片位于所述一襯底上且彼此之間通過(guò)溝槽而隔離，每一子芯片都包括至少由第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光堆疊層；

反射層，由絕緣材料制成，其覆蓋在所述每一子芯片上以及溝槽內(nèi)，反射層具有第一焊盤(pán)通孔和第二焊盤(pán)通孔，第一焊盤(pán)通孔和第二焊盤(pán)通孔分別位于第1子芯片和第n子芯片上方；

彼此電性相反的第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)，分別位于第1子芯片和第n子芯片上覆蓋的反射層表面上，并分別填充第一焊盤(pán)通孔和第二焊盤(pán)通孔，第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)通過(guò)分別填充在第一焊盤(pán)通孔和第二焊盤(pán)通孔內(nèi)的部分以分別電連接至第1子芯片的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層以及第n子芯片的第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層；

反射層具有至少一第一其它開(kāi)口和/或至少一第二其它開(kāi)口，第一其它開(kāi)口和/或至少一第二其它開(kāi)口在至少一其它子芯片上方；該第一焊盤(pán)延伸至至少一其它子芯片上覆蓋的反射層表面上，且填充反射層的第一其它開(kāi)口，和/或第二焊盤(pán)延伸至至少一其它子芯片上覆蓋的反射層表面上，同時(shí)填充第二其它開(kāi)口。