[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010329035.5
• 申請(qǐng)日: 2020-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111524904B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉俊領(lǐng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

形成于所述基板上的陣列層，所述陣列層包括陣列排布的薄膜晶體管、第一導(dǎo)電電極以及第一導(dǎo)電件；

形成于所述陣列層遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案包括同層設(shè)置的第二導(dǎo)電件以及遮光件，所述第二導(dǎo)電件與所述第一導(dǎo)電件電性連接，所述遮光件對(duì)應(yīng)所述薄膜晶體管設(shè)置；以及

覆晶薄膜，綁定于所述第二導(dǎo)電件上；

其中，所述導(dǎo)電圖案包括第一子導(dǎo)電層，所述第一子導(dǎo)電層的材料選自MoTiNi合金、MoNbTa合金、Mo、Nb、Ti、Ni以及Ta中的任意一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：亞毫米發(fā)光二極管，綁定于所述第一導(dǎo)電電極上，所述第一導(dǎo)電電極包括鉬層和銅層，所述銅層位于所述鉬層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子導(dǎo)電層的制備材料選自MoTiNi合金或MoNbTa合金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案還包括第二子導(dǎo)電層以及第三子導(dǎo)電層，所述第二子導(dǎo)電層位于所述第一子導(dǎo)電層和所述第三子導(dǎo)電層之間，所述第一子導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述基板，所述第三子導(dǎo)電層靠近所述基板，所述第二子導(dǎo)電層的制備材料包括銅或銅合金，所述第三子導(dǎo)電層的制備材料包括鉬或鉬合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子導(dǎo)電層的厚度為50埃-1000埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列層還包括第三導(dǎo)電件，所述第三導(dǎo)電件與所述第一導(dǎo)電電極同層設(shè)置，所述第一導(dǎo)電電極與源漏電極同層設(shè)置，所述第一導(dǎo)電件與柵極同層設(shè)置，所述薄膜晶體管包括柵極以及源漏電極，所述第三導(dǎo)電件與所述第二導(dǎo)電件電性連接。

7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

于基板上形成整面的第一導(dǎo)電層，采用第一次構(gòu)圖工藝圖案化所述第一導(dǎo)電層，得第一圖案化導(dǎo)電層，所述第一圖案化導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電件以及柵極；

形成覆蓋所述第一圖案化導(dǎo)電層以及所述基板的第一絕緣層；

依次于所述第一絕緣層上形成整面的半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電層，采用第二次構(gòu)圖工藝處理所述半導(dǎo)體層以及所述第二導(dǎo)電層，形成有源層、源漏電極以及第一導(dǎo)電電極；

形成覆蓋所述第一絕緣層、所述源漏電極、所述有源層以及所述第一導(dǎo)電電極的第二絕緣層，采用第三次構(gòu)圖工藝形成貫穿第一絕緣層以及第二絕緣層使第一導(dǎo)電件顯露的第一過(guò)孔且形成位于第二絕緣層上使第一導(dǎo)電電極顯露的第二過(guò)孔；

于所述第一過(guò)孔、所述第二過(guò)孔以及所述第二絕緣層上形成第三導(dǎo)電層，采用第四次構(gòu)圖工藝處理所述第三導(dǎo)電層形成第二導(dǎo)電件以及遮光件，所述第二導(dǎo)電件通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電件電連接，所述遮光件對(duì)應(yīng)所述有源層設(shè)置；

其中，所述第三導(dǎo)電層包括第一子導(dǎo)電層，所述第一子導(dǎo)電層的材料選自MoTiNi合金、MoNbTa合金、Mo、Nb、Ti、Ni以及Ta中的任意一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一子導(dǎo)電層的制備材料選自MoTiNi合金或MoNbTa合金。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有源層、源漏電極以及第一導(dǎo)電電極還包括如下步驟：

形成第三導(dǎo)電件，所述第三導(dǎo)電件位于所述源漏電極靠近所述第一導(dǎo)電件的一側(cè)。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括背光模組，所述背光模組包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。