[發明專利]非易失性存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 202010320919.4
• 申請日: 2019-08-08
• 公開（公告）號: CN111402942B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 劉紅濤;黃瑩;魏文喆;許鋒
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種非易失性存儲器，包括：

堆疊層，包括堆疊的第一堆棧和第二堆棧以及位于所述第一堆棧和第二堆棧之間的連接層，所述第一堆棧和第二堆棧分別包括交替堆疊的柵極層和介質層；以及

存儲單元陣列，包括多個存儲串，每個存儲串包括第一子串和第二子串，所述第一子串垂直貫穿所述第一堆棧，所述第二子串垂直貫穿所述第二堆棧，所述第一子串包括第一溝道層，所述第二子串包括第二溝道層，所述第一溝道層電性連接所述第二溝道層；

其中所述連接層在所述堆疊層的延伸方向上與所述第一溝道層和所述第二溝道層的溝道連接部相對，且所述連接層與所述溝道連接部之間為介質層；所述連接層和所述溝道連接部構成未帶有存儲單元的中間串選擇管，電性連接于所述第一子串和所述第二子串之間。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述第一子串包括第一電荷存儲層，所述第二子串包括第二電荷存儲層，其中所述第一電荷存儲層和所述第二電荷存儲層未延伸到所述連接層與所述溝道連接部之間的區域。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述第一溝道層和所述第二溝道層的溝道連接部為空心柱狀或者實心柱狀。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，還包括控制器，配置為：在編程期間，對每個存儲串的選中存儲單元施加編程電壓，對非選中存儲單元施加第一導通電壓，且對所述中間串選擇管施加第二導通電壓，其中在所述編程期間的至少一部分時段，所述第二導通電壓大于所述第一導通電壓。

5.如權利要求4所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述第二導通電壓的波形與所述編程電壓的波形相同，且所述第二導通電壓與所述編程電壓的比例在0.9～1.1之間。

6.如權利要求4所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述第二導通電壓的波形與所述第一導通電壓的波形相同，且所述第二導通電壓與所述編程電壓小于或等于1.1。

7.一種非易失性存儲器的制造方法，包括以下步驟：

形成第一堆棧，所述第一堆棧包括交替堆疊的第一材料層和第二材料層；

形成垂直貫穿所述第一堆棧的第一子串，所述第一子串包括第一溝道層；

在所述第一堆棧上形成連接層；

在所述連接層上形成第二堆棧，所述第二堆棧包括交替堆疊的第一材料層和第二材料層；以及

形成垂直貫穿所述第二堆棧的第二子串，所述第二子串包括第二溝道層，所述第一溝道層電性連接所述第二溝道層，其中所述第一溝道層和所述第二溝道層的溝道連接部在所述堆疊層的延伸方向上與所述連接層相對，且所述溝道連接部與所述連接層之間為介質層；所述連接層和所述溝道連接部構成未帶有存儲單元的中間串選擇管，電性連接于所述第一子串和所述第二子串之間；

其中所述第一材料層為柵極層或偽柵極層，所述第二材料層為介質層。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一子串還包括第一電荷存儲層，所述第二子串還包括第二電荷存儲層，其中所述第一電荷存儲層和所述第二電荷存儲層未延伸到所述連接層與所述溝道連接部之間的區域。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一堆棧上形成連接層后還包括，形成接觸所述第一溝道層的溝道連接部；且形成所述第二子串時，所述第二溝道層接觸所述溝道連接部。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述溝道連接部為空心柱狀或者實心柱狀。