[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010317744.1
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN113451190B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏其源;王英琪;劉政明;林建宏;龔立偉
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/68
• 分類號(hào): H01L21/68;H01L21/683;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 徐凱凱;王永文

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法，通過控制轉(zhuǎn)移基板移動(dòng)至目標(biāo)基板上方，再由紅外發(fā)射部發(fā)射紅外信號(hào)對(duì)目標(biāo)基板上的半導(dǎo)體進(jìn)行定位，在第二磁部從目標(biāo)基板上拾取到半導(dǎo)體后，通過控制器輸出第一控制電流至第一電磁部，以使第一電磁部產(chǎn)生電磁力，以控制第二磁部調(diào)節(jié)所拾取的半導(dǎo)體在目標(biāo)基板上的焊接位置，其中，調(diào)節(jié)所拾取的半導(dǎo)體在目標(biāo)基板上的焊接位置包括水平方向的調(diào)節(jié)，從而確保半導(dǎo)體在轉(zhuǎn)移過程中與目標(biāo)基板的準(zhǔn)確對(duì)位。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置，通過紅外功能實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體的準(zhǔn)確拾取，并且在拾取半導(dǎo)體后還可通過磁力調(diào)整半導(dǎo)體的水平位置，為半導(dǎo)體焊接至目標(biāo)基板時(shí)提供準(zhǔn)確的定位，避免了半導(dǎo)體焊接偏位的情況。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體顯示器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體的不斷發(fā)展，Micro-LED技術(shù)，即LED微縮化和矩陣化技術(shù)，是新一代顯示技術(shù)，指的是在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，如LED顯示屏每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可看成是戶外LED顯示屏的微縮版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)；其中，由于封裝過程中極高效率、99.9999％良品率和正負(fù)0.5μm以內(nèi)轉(zhuǎn)移精度的需要，而Micro-LED元器件尺寸基本小于50μm且數(shù)目是幾萬到幾百萬個(gè)，因此在Micro-LED產(chǎn)業(yè)化過程中仍需要克服的一個(gè)核心技術(shù)難題就是Micro-LED元器件的巨量轉(zhuǎn)移(MassTransfer)技術(shù)。對(duì)于現(xiàn)代超精密加工技術(shù)來說，從晶圓上巨量轉(zhuǎn)移幾萬到幾十萬個(gè)Micro-LED到基板，本身已是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)，加工效率、良品率和轉(zhuǎn)移精度更加無法保證。

現(xiàn)有的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)雖然一次可轉(zhuǎn)移大量的半導(dǎo)體芯片，但是在進(jìn)行巨量轉(zhuǎn)移時(shí)，將半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)移到基板時(shí)并不能準(zhǔn)確的定位，因此，容易造成轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體芯片焊接偏位。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法，旨在解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片在巨量轉(zhuǎn)移中轉(zhuǎn)移精度過低的問題。

本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下：

半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置一種半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置，其中，包括：轉(zhuǎn)移基板，設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移基板上的控制器、設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移基板上且與所述控制器電連接的第一電磁部、設(shè)置在所述第一電磁部的表面且與所述控制器電連接的紅外發(fā)射部以及活動(dòng)設(shè)置在所述第一電磁部內(nèi)且用于拾取半導(dǎo)體的第二磁部；其中，所述半導(dǎo)體攜帶有磁性；

所述轉(zhuǎn)移基板用于移動(dòng)至目標(biāo)基板上方；

所述紅外發(fā)射部用于發(fā)射紅外信號(hào)對(duì)目標(biāo)基板上的半導(dǎo)體進(jìn)行定位；

所述控制器用于輸出第一控制電流至所述第一電磁部，以使所述第一電磁部產(chǎn)生電磁力，以控制所述第二磁部調(diào)節(jié)所拾取的半導(dǎo)體在目標(biāo)基板上的焊接位置，其中，所述調(diào)節(jié)所拾取的半導(dǎo)體在目標(biāo)基板上的焊接位置包括水平方向的調(diào)節(jié)。

進(jìn)一步的，所述的半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置，其中，所述控制器還用于輸出第二控制電流至所述第二磁部，以使所述第二磁部拾取目標(biāo)基板上的半導(dǎo)體或放置半導(dǎo)體至目標(biāo)基板。

進(jìn)一步的，所述的半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置，其中，所述第一電磁部包括活動(dòng)設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移基板上的多塊第一電磁擋板，各個(gè)第一電磁擋板均與所述控制器電連接，且相鄰的所述第一電磁擋板相互垂直。

進(jìn)一步的，所述的半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置，其中，所述第二磁部包括設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移基板上且與所述控制器電連接的驅(qū)動(dòng)電磁擋板、與所述驅(qū)動(dòng)電磁擋板磁力連接的吸附盤以及固定設(shè)置在所述吸附盤四周的第二磁擋板。

進(jìn)一步的，所述的半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移裝置，其中，所述第一電磁擋板與所述第二磁擋板數(shù)量一致，且單個(gè)所述第一電磁擋板與單個(gè)所述第二磁擋板對(duì)應(yīng)平行設(shè)置。