[發明專利]一種半導體的轉移裝置及轉移方法有效
| 申請號: | 202010317744.1 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN113451190B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發明(設計)人: | 魏其源;王英琪;劉政明;林建宏;龔立偉 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/683;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凱凱;王永文 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 轉移 裝置 方法 | ||
1.一種半導體的轉移裝置,其特征在于,包括:轉移基板,設置在所述轉移基板上的控制器、設置在所述轉移基板上且與所述控制器電連接的第一電磁部、設置在所述第一電磁部的表面且與所述控制器電連接的紅外發射部以及活動設置在所述第一電磁部內且用于拾取半導體的第二磁部;其中,所述半導體攜帶有磁性;
所述轉移基板用于移動至目標基板上方;
所述紅外發射部用于發射紅外信號對目標基板上的半導體進行定位;
所述控制器用于輸出第一控制電流至所述第一電磁部,以使所述第一電磁部產生電磁力,以控制所述第二磁部調節所拾取的半導體在目標基板上的焊接位置,其中,所述調節所拾取的半導體在目標基板上的焊接位置包括水平方向的調節;
所述第一電磁部包括活動設置在所述轉移基板上的多塊第一電磁擋板,各個第一電磁擋板均與所述控制器電連接,且相鄰的所述第一電磁擋板相互垂直,且各個第一電磁擋板至所述第二磁部的距離相等。
2.根據權利要求1所述的半導體的轉移裝置,其特征在于,所述控制器還用于輸出第二控制電流至所述第二磁部,以使所述第二磁部拾取目標基板上的半導體或放置半導體至目標基板。
3.根據權利要求2所述的半導體的轉移裝置,其特征在于,所述第二磁部包括設置在所述轉移基板上且與所述控制器電連接的驅動電磁擋板、與所述驅動電磁擋板磁力連接的吸附盤以及固定設置在所述吸附盤四周的第二磁擋板。
4.根據權利要求3所述的半導體的轉移裝置,其特征在于,所述第一電磁擋板與所述第二磁擋板數量一致,且單個所述第一電磁擋板與單個所述第二磁擋板對應平行設置。
5.根據權利要求3所述的半導體的轉移裝置,其特征在于,所述移動基板上設置有滑軌,所述第一電磁擋板和所述驅動電磁擋板設置有滑球,所述第一電磁擋板和所述驅動電磁擋板分別與所述移動基板滑動連接。
6.根據權利要求4所述的半導體的轉移裝置,其特征在于,所述第一電磁擋板和驅動電磁擋板為電磁體,所述第二磁擋板為永磁體或電磁體。
7.根據權利要求1所述的半導體的轉移裝置,其特征在于,所述紅外發射部包括紅外發射器,所述紅外發射器與所述第一電磁部可拆卸連接。
8.根據權利要求3所述的半導體的轉移裝置,其特征在于,所述吸附盤為磁體、吸盤或機械手。
9.一種半導體的轉移方法,其特征在于,包括:
控制轉移基板移動至目標基板上方;
紅外發射部發射紅外信號對目標基板上的半導體進行定位;
控制器輸出第一控制電流至第一電磁部,以使所述第一電磁部產生電磁力,以控制第二磁部調節所拾取的半導體在目標基板上的焊接位置,其中,所述調節所拾取的半導體在目標基板上的焊接位置包括水平方向的調節;
所述第一電磁部包括活動設置在所述轉移基板上的多塊第一電磁擋板,各個第一電磁擋板均與所述控制器電連接,且相鄰的所述第一電磁擋板相互垂直,且各個第一電磁擋板至所述第二磁部的距離相等。
10.根據權利要求9所述的半導體的轉移方法,其特征在于,所述控制器輸出第一控制電流至第一電磁部,以使所述第一電磁部產生電磁力,以控制第二磁部調節所拾取的半導體在目標基板上的焊接位置,其中,所述調節所拾取的半導體在目標基板上的焊接位置包括水平方向的調節還包括:控制器輸出第二控制電流至所述第二磁部,以使所述第二磁部拾取目標基板上的半導體或放置半導體至目標基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于重慶康佳光電技術研究院有限公司,未經重慶康佳光電技術研究院有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010317744.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:雙埠電池充電系統及其充電方法
- 下一篇:移動路徑判斷方法及無線定位裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





