[發明專利]一種線性穩壓電源有效
| 申請號: | 202010315544.2 | 申請日: | 2020-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN111309089B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 危洪兵;錢柏年;周云海 | 申請(專利權)人: | 深圳市鼎陽科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/625 | 分類號: | G05F1/625 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區新安街道興東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 線性 穩壓電源 | ||
本申請公開了一種線性穩壓電源,包括均流控制電路。均流控制電路包括至少一個均流控制單元,每個均流控制單元包括驅動電壓調整電路、線性穩壓電路和反饋電路。其中,反饋電路用于將線性穩壓電路的電流采樣電阻電壓反饋給驅動電壓調整電路,驅動電壓調整電路依據電流采樣電阻電壓值對輸入均流控制單元的模擬控制信號Vctrl的電流進行調整后再輸出給線性穩壓電路,以實現通過調整電流采樣電阻的電壓大小來調整線性穩壓電路的輸出功率。由于可以分別調節每個均流控制單元的線性穩壓電路的輸出功率,進而解決線性穩壓電源不均流的問題,以提高線性穩壓電源的穩定性和使用壽命。
技術領域
本發明涉及CMOS集成電路設計技術領域,具體涉及一種線性穩壓電源。
背景技術
功率MOSFET是開關變換器中常用的功率器件,其損耗的大小對開關變換器的性能和效率有著直接的影響。功率MOSFET的損耗主要由開關損耗和導通損耗兩部分組成。通常我們都會選用具有低導通電阻、高耐壓值、高增益、低開關損耗,以及低柵極閾值電壓等特性的功率MOSFET。但是對于需要工作在線性模式下的設備,如有源負載,上述原則就不太適用了。因為如果功率MOSFET的增益過高,考慮到其柵極閾值電壓具有負溫度系數,不施加負反饋環節很難使漏極電流保持恒定,甚至還可能造成功率MOSFET因熱擊穿而永久性損壞。一般線性穩壓電路的功率MOSFET由控制電路經驅動電路驅動,通過調整管子的驅動電壓,調節功率管的導通電阻,從而達到穩壓輸出。在現有技術中,會在線性穩壓電源使用2個或多個MOS管,其控制電壓都是由同一路驅動信號進行驅動,由于管子的工藝差異使得每個管子的導通電阻有差異,加上PCB layout時每個管子的驅動電壓和電流流經環路阻抗差異使得每個MOS管流過的電流也不一樣,進而達不到均流的效果,同時MOS管的散熱環境不一致也使得MOS 管的溫升有差異。如果均流效果不好,使得某個MOS管溫升特別高而另一個MOS管可能不工作的情況,影響MOS管的正常使用,使得MOSFET的可靠性降低,縮短線性電源的使用壽命。
發明內容
本申請提供一種線性穩壓電源,解決現有技術中存在的技術問題。
根據第一方面,一種實施例中提供一種線性穩壓電源,包括均流控制電路;
所述均流控制電路響應所述線性穩壓電源的模擬控制信號Vctrl,按線性輸出穩定電壓,以作為所述線性穩壓電源的輸出;
所述均流控制電路包括至少一個均流控制單元;
所述均流控制單元響應所述模擬控制信號Vctrl,按線性輸出穩定電壓,以用于作為所述均流控制電路的輸出;
所述均流控制單元包括驅動電壓調整電路、線性穩壓電路和反饋電路;
所述線性穩壓電路響應所述驅動電壓調整電路輸出的模擬信號控制,按線性輸出穩定電壓;
所述反饋電路用于將所述線性穩壓電路的電流采樣電阻電壓反饋給所述驅動電壓調整電路;
所述驅動電壓調整電路依據所述反饋電路反饋的電流采樣電阻電壓,對輸入所述模擬控制信號Vctrl的電流進行調整后輸出給所述線性穩壓電路,以實現通過調整所述電流采樣電阻的電壓大小來調整所述模擬控制信號Vctrl的電流,進而實現對所述線性穩壓電路輸出功率的調整;
所述均流控制電路包括均流控制電路輸入端和均流控制電路輸出端;所述均流控制電路輸入端用于所述模擬控制信號Vctrl的輸入,所述均流控制電路輸出端用于作為所述線性穩壓電源的輸出端;
所述均流控制單元包括均流控制單元輸入端和均流控制單元輸出端;所述均流控制單元輸入端與所述均流控制電路輸入端連接,所述均流控制單元輸出端與所述均流控制電路輸出端連接;
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