[發(fā)明專(zhuān)利]基于飛秒激光直寫(xiě)的可調(diào)諧波導(dǎo)光柵濾波器及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010315538.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113534341B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 訾幸壯;尹小杰;楊堃;趙青;李彩云;孫靜雯;常夏森 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02B6/124 | 分類(lèi)號(hào): | G02B6/124;G02B6/136;G02B6/13;G02B6/132;G02B6/12;G02F1/01 |
| 代理公司: | 鄭州優(yōu)盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41125 | 代理人: | 鄭園 |
| 地址: | 458030 河南省鶴壁市*** | 國(guó)省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 激光 調(diào)諧 波導(dǎo) 光柵 濾波器 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于飛秒激光直寫(xiě)的可調(diào)諧波導(dǎo)光柵濾波器及其制造方法,包括晶圓基底,所述晶圓基底的上部設(shè)有上包層,上包層的上部依次設(shè)有電極層和引線(xiàn)層,且電極層和引線(xiàn)層的寬度均小于上包層的寬度;所述上包層內(nèi)設(shè)有波導(dǎo)芯層,且波導(dǎo)芯層上設(shè)有采用飛秒激光直寫(xiě)的波導(dǎo)光柵。本發(fā)明采用石英基PLC光波導(dǎo)技術(shù)與飛秒激光直寫(xiě)相結(jié)合,對(duì)現(xiàn)有的工藝進(jìn)行了改進(jìn),降低了開(kāi)發(fā)和工藝成本;實(shí)現(xiàn)了在晶圓上制作各種類(lèi)型的光柵濾波器,通過(guò)電極層可以實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)可調(diào)諧,增加了光學(xué)芯片系統(tǒng)的靈活性;通過(guò)控制飛秒激光的功率、掃描區(qū)域?qū)挾取⒅貜?fù)掃描次數(shù)等,可以控制折射率變化的大小,實(shí)現(xiàn)了對(duì)光柵參數(shù)的精準(zhǔn)控制。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于集成光電子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于飛秒激光直寫(xiě)的可調(diào)諧波導(dǎo)光柵濾波器及其制造方法。
背景技術(shù)
隨著5G技術(shù)、互聯(lián)網(wǎng)+、人工智能、云計(jì)算等業(yè)務(wù)的迅速發(fā)展,這些業(yè)務(wù)對(duì)傳輸網(wǎng)絡(luò)帶寬容量的需求極大增加,大力推動(dòng)了光通信和光傳感技術(shù)的發(fā)展。在光通信和光傳感領(lǐng)域的一個(gè)重要器件就是光纖光柵濾波器。在波分復(fù)用系統(tǒng)中,光濾波器是處理某個(gè)特定信道光信號(hào)的關(guān)鍵器件,一般要求低插損和高帶外抑制比。在光纖傳感系統(tǒng)中,光纖光柵受到外場(chǎng)(如溫度或應(yīng)力等)影響,光柵周期或光纖模式的有效折射率會(huì)發(fā)生變化,這將改變光柵的諧振波長(zhǎng)。另外,由于光纖光柵體積小、抗腐蝕、抗電磁干擾等的優(yōu)點(diǎn)的,使得光纖光柵得到了廣泛應(yīng)用。
然而,通信網(wǎng)絡(luò)已發(fā)展到以數(shù)據(jù)中心為核心的時(shí)代,光互連已經(jīng)是必然的趨勢(shì)。半導(dǎo)體制程正在漸漸接近物理極限,芯片內(nèi)部及外部的短距離通信中傳輸電阻增大;同時(shí),電互連間距減小極容易產(chǎn)生寄生電容。對(duì)于光互連而言,光信號(hào)可以實(shí)現(xiàn)無(wú)干擾和更高速率的傳輸。與集成電路類(lèi)似,集成光路也是由多種基本光學(xué)單元組成。相比由分立光學(xué)元件組成的光學(xué)系統(tǒng),集成光路系統(tǒng)具有更小的尺寸和穩(wěn)定性,光濾波器是集成光路系統(tǒng)的關(guān)鍵單元,而可調(diào)諧的光柵濾波器能給光學(xué)系統(tǒng)帶來(lái)更大的靈活性。由于半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,光刻、離子束刻蝕、等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法(PECVD)等微電子技術(shù)取得了巨大進(jìn)步,產(chǎn)生了新穎的基于平面光波導(dǎo)技術(shù)(PLC:Planar Lightwave Circuit)的波導(dǎo)光柵的制作工藝。
目前在晶圓上制作光柵的方法主要有兩種:
刻蝕:采用刻蝕方法時(shí),目前的極限刻蝕寬度為1um(刻蝕深度為4um),而且成品率極低,無(wú)法制作出低階布拉格光柵來(lái)滿(mǎn)足某些特殊需求;
紫外曝光:雖然通過(guò)載氫等方法可以增強(qiáng)光波導(dǎo)(晶圓)的光敏性,但是光敏性提高非常有限,雖然制作光柵的精度非常高,但是,光柵的制作成本高和調(diào)制深度(折射率變化量)非常小,因此無(wú)法制作出高反射率的光柵。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有石英基PLC晶圓上制作波導(dǎo)光柵技術(shù)中工藝精度低、成本高和產(chǎn)品一致性差而產(chǎn)生的良品率低的問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種基于飛秒激光直寫(xiě)的可調(diào)諧波導(dǎo)光柵濾波器及其制造方法,解決了現(xiàn)有的在晶圓上無(wú)法制作出低階布拉格光柵或高反射率光柵的問(wèn)題。
為解決以上技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下:
一種基于飛秒激光直寫(xiě)的可調(diào)諧波導(dǎo)光柵濾波器,包括晶圓基底,所述晶圓基底的上部設(shè)有上包層,上包層的上部依次設(shè)有電極層和引線(xiàn)層,且電極層和引線(xiàn)層的寬度均小于上包層的寬度;所述上包層內(nèi)設(shè)有波導(dǎo)芯層,且波導(dǎo)芯層上設(shè)有采用飛秒激光直寫(xiě)的波導(dǎo)光柵。
所述晶圓基底的材料為石英玻璃;所述波導(dǎo)芯層的材料為摻鍺的二氧化硅;所述上包層的材料為摻雜硼和磷的二氧化硅;所述電極層的材料為鉻和金;所述引線(xiàn)層的材料為鈦和鎢。
所述晶圓基底和上包層的折射率均小于波導(dǎo)芯層的折射率,且波導(dǎo)光柵的折射率周期性變化。
所述波導(dǎo)芯層設(shè)置在上包層的中部,且電極層和引線(xiàn)層均設(shè)置在波導(dǎo)芯層的正上方。
所述波導(dǎo)光柵是布拉格光柵或者長(zhǎng)周期光柵。
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