[發明專利]一種可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡及制備方法

有效

• 申請號: 202010313640.3
• 申請日: 2020-04-20
• 公開（公告）號: CN111665577B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 顧勇;張拴勤;吳堅業;萬鵬;王中偉;劉習健;陳紅兵
• 申請（專利權）人: 湖北衛東化工股份有限公司
• 主分類號: G02B1/113
• 分類號: G02B1/113;G02B5/22;G02B5/20;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/30
• 代理公司: 襄陽中天信誠知識產權事務所 42218
• 代理人: 何靜月

1.一種可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡，其特征在于：以ZWB2濾光玻璃作為基底材料,在ZWB2濾光玻璃的兩個表面鍍減反增透膜;所述減反增透膜為高折射率鍍膜材料和低折射率鍍膜材料多次交替鍍膜而成；高折射率鍍膜材料為高純度氧化鋯ZrO₂，低折射率鍍膜材料為高純度MgF。

2.根據權利要求1所述的可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡，其特征在于:所述ZWB2濾光玻璃為黑色的有色玻璃，通過在ZWB2濾光玻璃兩個表面鍍減反增透膜，實現了在短波的藍光波段（380nm～410nm）和長波的紅光波段（690nm～760nm）增加了透射率。

3.根據權利要求1所述的可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡，其特征在于:所述ZWB2濾光玻璃的厚度為1—2 mm ，最佳厚度為1.5mm，ZWB2濾光玻璃兩個表面所鍍減反增透膜厚度為2.5μm～2.8μm。

4.根據權利要求1所述的可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡，其特征在于:所述ZWB2濾光玻璃表面鍍膜的膜系結構為：

（0.5HL0.5H）^S，取中心波長λ₀≈532nm

其中：H---高折射率鍍膜材料，其光學厚度為中心波長的四分之一；L---低折射率鍍膜材料，其光學厚度為中心波長的四分之一； S---循環次數，λ₀---中心波長；其中高折射率鍍膜材料是高純度氧化鋯ZrO₂ 和低折射率鍍膜材料是高純度氟化鎂MgF；S=6。

5.根據權利要求1或4所述的可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡，其特征在于:所述高折射率鍍膜材料和低折射率鍍膜材料多次交替鍍膜為其中高折射率鍍膜材料鍍6-7層，低折射率鍍膜材料鍍6-7層，高折射率鍍膜材料和低折射率鍍膜材料共鍍12-14層，形成的減反增透膜（AR膜）共12-14層。

6.一種權利要求1所述的可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡的制備方法，其特征在于包括以下工序:

a.將ZWB2濾光玻璃在超聲波清洗機被清洗干凈，之后放于工件架上，放入真空鍍膜機真空室內，并關閉室門、對真空室抽真空；

b.在真空度達到3×10^-1Pa時，對ZWB2濾光玻璃加溫，溫度設定為200℃～220℃，并繼續抽真空；

c.在真空度達到5×10^-3Pa時，開始對高折射率鍍膜材料ZrO₂ 和低折射率鍍膜材料MgF分別預熔,兩種鍍膜材料分別在電子槍的不同坩堝內；

d.預熔結束后，待真空室的真空度達2×10^-3Pa時，可開始鍍膜；由于ZrO₂是氧化物在汽化成膜時容易“脫氧”，故需向真空室內充入氧氣并保證真空度不低于1×10^-3Pa ～2×10^-3Pa；在真空鍍膜機上配有質量流量計與壓強控制儀以便來控制充入氧氣的量以及真空室內的真空度；在鍍膜時還要控制好高折射率鍍膜材料ZrO₂ 與低折射率鍍膜材料MgF這兩種鍍膜材料的成膜速率；高折射率鍍膜材料ZrO₂通常的成膜速率為：0.35nm/S ～0.40nm/S，而低折射率鍍膜材料MgF通常的成膜速率為：0.7nm/S ～0.9nm/ S；

e.對于ZWB2濾光玻璃的兩面均需鍍AR膜系，高折射率鍍膜材料ZrO₂ 與低折射率鍍膜材料MgF兩種材料共12-14層；

f.工序e）成完后，關閉電子槍、烘烤加熱器、高真空閥門，待真空室溫度降到低于80℃后，對真空室充大氣到常壓，打開真空室門取出已鍍好膜的濾光鏡片，用該濾光鏡片制備可以直觀識別雪地偽裝的檢驗鏡。

7.根據權利要求6所述的可以直觀識別白色偽裝的檢驗鏡的制備方法，其特征在于所述高折射率鍍膜材料ZrO₂純度99.5% ，低折射率鍍膜材料MgF純度為99.8%。