[發(fā)明專利]一種MOSFET晶圓臨近顆粒測試方法及其測試電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010310992.3 | 申請日： | 2020-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN111337812A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王煜 | 申請（專利權(quán)）人： | 陜西三海測試技術(shù)開發(fā)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R27/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710119 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mosfet 臨近 顆粒 測試 方法 及其 電路 | ||
1.一種MOSFET晶圓臨近顆粒測試方法及其測試電路，用于測試MOSFET晶圓的Rdson（導(dǎo)通電阻）測試參數(shù)，其測試方法包括以下步驟：
S101：通過電阻將MOSFET晶圓的漏極加載端和漏極測量端連接；
S102：通過測試VTH小電流參數(shù)判斷N個被測MOSFET顆粒的基本功能正常；
S103：測試Rdson（導(dǎo)通電阻），選擇功能正常且距離被測顆粒最近的顆粒作為輔助顆粒；
S104：將輔助顆粒的柵極驅(qū)動為常通狀態(tài)；
S105：將共漏極的測量端連接至輔助顆粒的源極，然后進行參數(shù)Rdson（導(dǎo)通電阻）測試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET晶圓臨近顆粒測試方法，其特征在于，所述N個被測顆粒其數(shù)量與測試工位的電路臂數(shù)量保持一致，其N值越大測試誤判率越低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET晶圓臨近顆粒測試方法，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電壓保持在±5V以內(nèi)，便可保持常通狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET晶圓臨近顆粒測試方法，其特征在于，所述被測顆粒最近的顆粒進行小電流參數(shù)測試為不正常顆粒，因此選擇次近的顆粒作為輔助顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOSFET晶圓臨近顆粒測試方法，其特征在于，所述臨近顆粒測試方法測量被測MOSFET晶圓良品率90%，四工位時誤判率為0.1%，八工位時誤判率為0.00001%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西三海測試技術(shù)開發(fā)有限責(zé)任公司，未經(jīng)陜西三海測試技術(shù)開發(fā)有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
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