[發(fā)明專利]模數(shù)轉(zhuǎn)換器以及模數(shù)轉(zhuǎn)換方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010301277.3 | 申請日: | 2020-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN111510144B | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丁召明 | 申請(專利權(quán))人: | 芯海科技(深圳)股份有限公司 |
| 主分類號: | H03M1/12 | 分類號: | H03M1/12 |
| 代理公司: | 深圳市智圈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44351 | 代理人: | 周獻 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)換器 以及 轉(zhuǎn)換 方法 | ||
本申請實施例提供了一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器以及模數(shù)轉(zhuǎn)換方法,該模數(shù)轉(zhuǎn)換器包括電容陣列、比較器以及邏輯控制電路,電容陣列的M位電容中的第N位電容被配置為冗余電容;比較器被配置為對輸入端的輸入信號執(zhí)行多次比較動作,多次比較動作中包括冗余比較動作;邏輯控制電路被配置為根據(jù)每次比較動作得到的一個數(shù)字位依次控制M位電容翻轉(zhuǎn),并得到至少M個數(shù)字位;至少M個數(shù)字位中,第P個數(shù)字位到最低位數(shù)字位為冗余數(shù)字位,且每一個冗余數(shù)字位對應(yīng)一次冗余比較動作的結(jié)果;第P個數(shù)字位為邏輯控制電路控制冗余電容翻轉(zhuǎn)所對應(yīng)的數(shù)字位;邏輯控制電路還被配置為根據(jù)冗余數(shù)字位的值調(diào)整最終轉(zhuǎn)換結(jié)果。本申請實施例提供的模數(shù)轉(zhuǎn)換器能夠有效提高轉(zhuǎn)換精度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器以及模數(shù)轉(zhuǎn)換方法。
背景技術(shù)
逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Successive Approximation Register ADC,SAR ADC)是一種具有中等轉(zhuǎn)換精度、中等采樣速度的結(jié)構(gòu),然而在互補金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)制造工藝下,卻能夠保證較低功耗和較小的芯片面積,因此SAR ADC在低功耗領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但是,低功耗意味著低精度,如何將SAR應(yīng)用在高精度領(lǐng)域是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題,本申請實施例提供一模數(shù)轉(zhuǎn)換器以及模數(shù)轉(zhuǎn)換方法,以解決上述技術(shù)問題。
本申請實施例是采用以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器,包括電容陣列、比較器以及邏輯控制電路,電容陣列包括M位電容,其中M位電容中的第N位電容被配置為冗余電容且第M電容為最高位電容;比較器的輸入端連接于電容陣列,被配置為對輸入端的輸入信號執(zhí)行多次比較動作,其中,多次比較動作中包括冗余比較動作;邏輯控制電路連接比較器以及電容陣列,被配置為根據(jù)每次比較動作得到的一個數(shù)字位依次控制M位電容翻轉(zhuǎn),并根據(jù)全部比較動作的結(jié)果得到至少M個數(shù)字位;其中,至少M個數(shù)字位中,自第P個數(shù)字位起到最低位數(shù)字位為冗余數(shù)字位,且每一個冗余數(shù)字位對應(yīng)一次冗余比較動作的結(jié)果;第P個數(shù)字位為邏輯控制電路控制冗余電容翻轉(zhuǎn)所對應(yīng)的數(shù)字位;P為大于或等于2的整數(shù);邏輯控制電路還被配置為根據(jù)冗余數(shù)字位的值調(diào)整最終轉(zhuǎn)換結(jié)果;M、N分別為正整數(shù),并且N小于或等于M。
在一些實施方式中,比較器被配置為在每次冗余比較動作期間執(zhí)行n次重復(fù)比較動作,其中n為正整數(shù);邏輯控制電路被配置為根據(jù)n次重復(fù)比較動作結(jié)果,確定每次冗余比較動作結(jié)果對應(yīng)的冗余數(shù)字位。
在一些實施方式中,邏輯控制電路被配置為在比較器每次執(zhí)行重復(fù)比較動作時確定一個重復(fù)數(shù)字位,重復(fù)數(shù)字位的值為1或0,邏輯控制電路根據(jù)n個重復(fù)數(shù)字位中1的位數(shù)與0的位數(shù),確定每次冗余比較動作結(jié)果對應(yīng)的冗余數(shù)字位。
在一些實施方式中,邏輯控制電路被配置為確定n個重復(fù)數(shù)字位中1的位數(shù)以及0的位數(shù),當1的位數(shù)多于0的位數(shù)時,邏輯控制電路將冗余數(shù)字位置為1;當0的位數(shù)多于1的位數(shù)時,邏輯控制電路將冗余數(shù)字位置為0,其中n為奇數(shù)。
在一些實施方式中,邏輯控制電路還被配置為在冗余比較動作期間,保持當前位電容的控制信號不變,當前位電容為邏輯控制電路根據(jù)當前冗余比較動作的結(jié)果所翻轉(zhuǎn)的電容。
在一些實施方式中,邏輯控制電路還被配置為在根據(jù)每次比較動作得到的一個數(shù)字位,從高位至低位依次調(diào)整M個電容的控制信號。
在一些實施方式中,M位電容中,前兩位電容的容值相等,第二位至第M位電容的電容值以2的冪次方遞增。
在一些實施方式中,M位電容中的最低位電容被配置為冗余電容,比較器被配置為執(zhí)行兩次冗余比較動作;邏輯控制電路被配置為根據(jù)全部比較動作的結(jié)果得到M+1個數(shù)字位;其中M+1個數(shù)字位中的第二個數(shù)字位和第一個數(shù)字位為冗余數(shù)字位,且第二位數(shù)字位為邏輯控制電路控制冗余電容翻轉(zhuǎn)所對應(yīng)的數(shù)字位,第一個數(shù)字位為最低位數(shù)字位。
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