[發明專利]一種基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置

有效

• 申請號: 202010300801.5
• 申請日: 2020-04-16
• 公開（公告）號: CN111442729B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 王茹雪;武愛民
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G01B11/02
• 分類號: G01B11/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 鄧琪

1.一種基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置的位移變化判斷方法，包括泄漏輻射顯微系統，所述泄漏輻射顯微系統沿光信號走向依次包括激光器、透鏡組、偏振片、半玻片、入射物鏡、壓電陶瓷位移平臺、收集物鏡、收集透鏡以及成像相機，所述位移平臺上設有位移傳感芯片，其特征在于，所述位移傳感芯片為布洛赫表面波單向耦合芯片，所述布洛赫表面波單向耦合芯片包括布拉格反射單元，所述布拉格反射單元的頂層中設有不對稱狹縫結構，所述不對稱狹縫結構包括兩個寬度和深度均不相同的單狹縫，其中一個單狹縫的寬度在510nm到550nm之間，深度在380nm到420nm之間；另一個單狹縫的寬度在210nm到250nm之間，深度在70nm到110nm之間；所述布洛赫表面波單向耦合芯片在所述壓電陶瓷位移平臺移動時相對于高斯光場沿所述不對稱狹縫結構的狹縫寬度方向發生移動，以根據布洛赫表面光場消光比的變化判斷位移變化。

2.根據權利要求1所述的基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置的位移變化判斷方法，其特征在于，所述激光器為超連續可調諧激光器。

3.根據權利要求1所述的基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置的位移變化判斷方法，其特征在于，所述布拉格反射單元包括交替排布的高折射率介質層和低折射率介質層。

4.根據權利要求1所述的基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置的位移變化判斷方法，其特征在于，所述布拉格反射單元的頂層為低折射率介質缺陷層。

5.根據權利要求1所述的基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置的位移變化判斷方法，其特征在于，所述布洛赫表面波單向耦合芯片還包括一玻璃基底，所述布拉格反射單元排布在該玻璃基底上。

6.根據權利要求1所述的基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置的位移變化判斷方法，其特征在于，所述兩個單狹縫平行正對且長度相等。

7.根據權利要求1所述的基于布洛赫表面波單向耦合效應的位移傳感裝置的位移變化判斷方法，其特征在于，所述兩個單狹縫的長度大于4μm。