[發明專利]一種PbS/SiO2 在審
| 申請號： | 202010279664.1 | 申請日： | 2020-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN111308829A | 公開（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發明（設計）人： | 董艷華;趙陽陽;蘇采蕓;王廷云;文建湘;黃懌;張小貝;商婭娜;龐拂飛 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | G02F1/39 | 分類號： | G02F1/39;C03C25/465;C03C25/42;C03B37/025 |
| 代理公司： | 貴州派騰知識產權代理有限公司 52114 | 代理人： | 唐斌 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 pbs sio base sub | ||
1.一種PbS/SiO2共摻納米集成錐形光纖放大器，包括錐形光纖（1），其特征在于：在錐腰處涂覆納米薄膜（2），所述納米薄膜（2）包括交替沉積的PbS (2-1) 和SiO2 (2-2)納米材料。
2.根據權利要求1所述的PbS/SiO2共摻納米集成錐形光纖放大器，其特征在于：在涂覆納米薄膜（2）前，采用熔融拉錐技術制備錐形光纖（1），并對錐區進行表面活性處理。
3.根據權利要求2所述的PbS/SiO2共摻納米集成錐形光纖放大器，其特征在于：利用原子層沉積技術在錐形光纖（1）表面先后沉積PbS和SiO2納米材料形成納米薄膜。
4.根據權利要求3所述的PbS/SiO2共摻納米集成錐形光纖放大器，其特征在于：重復沉積過程獲得高摻雜、厚度可達μm級別的高增益薄膜。
5.根據權利要求3所述的PbS/SiO2共摻納米集成錐形光纖放大器，其特征在于：所述的沉積PbS納米材料所用Pb源的氣相前驅體為：雙(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鉛，Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)lead(II)，Pb(TMHD)2；所用S的前驅體材料為H2S與N2的混合物。
6.根據權利要求3所述的PbS/SiO2共摻納米集成錐形光纖放大器，其特征在于：所述的沉積SiO2納米材料所用Si源的氣相前驅體為：二異丙基氨基硅烷（N,N-bis(1-methylethyl)silanamine）；氧源采用臭氧（O3）。
7.一種PbS/SiO2共摻納米集成錐形光纖放大器的制備方法，其特征在于制備步驟如下：
采用熔融拉錐技術制備單模熔錐光纖(1)，并進行表面活化處理;
在錐區利用原子層沉積法沉積PbS納米材料；
在錐區利用原子層沉積法沉積SiO2納米材料；
通過交替重復PbS和SiO2的沉積過程來精確控制薄膜的厚度、摻雜濃度和摻雜粒子的分布情況，制得錐形光纖放大器。
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