[發明專利]半導體器件及其制備方法和通信設備

在審

• 申請號: 202010260213.3
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN113555449A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 李志偉;王謙;曾金林;任民
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0203
• 分類號: H01L31/0203;H01L31/18;H01L31/0232
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強;李稷芳

1.一種半導體器件，其特征在于，包括半導體基板及設于所述半導體基板上的光電器件和傳導件，所述光電器件和所述傳導件耦合對準，所述半導體基板的安裝面設有至少三個限位支撐柱，其中所述至少三個限位支撐柱圍設形成至少一個三角形區域，所述光電器件包括與所述限位支撐柱一一對應的限位槽，所述限位支撐柱遠離所述安裝面的端部收容在所述限位槽內，通過與所述限位槽的內壁接觸以支撐及限位所述光電器件。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述安裝面包括相互垂直的第一方向和第二方向，所述第二方向與所述光電器件的光軸平行，所述限位支撐柱包括第一限位支撐柱、第二限位支撐柱和第三限位支撐柱，所述第一限位支撐柱和所述第二限位支撐柱在所述第一方向間隔設置，用于在所述第一方向上限位所述光電器件，所述第二限位支撐柱和所述第三限位支撐柱在所述第二方向間隔設置，用于在所述第二方向上限位所述光電器件。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一限位支撐柱和所述第二限位支撐柱相對設置于所述光電器件的光軸的兩側，所述第一限位支撐柱和所述第二限位支撐柱背向所述傳導件的一側分別與其對應的所述限位槽形成第一空隙，朝向所述傳導件的一側分別與其對應的所述限位槽接觸，所述第二限位支撐柱和所述第三限位支撐柱靠近所述光電器件的光軸一側分別與其對應的所述限位槽形成第二空隙，遠離所述光電器件的光軸一側分別與其對應的所述限位槽接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基板包括承載面，所述傳導件的端部設于所述承載面上，所述承載面與所述限位支撐柱遠離所述安裝面的端面平齊，所述限位支撐柱與所述光電器件的光軸的距離等于所述承載面與所述傳導件的光軸的距離。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述安裝面設有平衡支撐柱，所述光電器件包括與所述平衡支撐柱對應的平衡槽，所述平衡支撐柱遠離所述安裝面的端部位于所述平衡槽內，所述平衡支撐柱用于與所述限位支撐柱配合維持所述光電器件的平衡。

6.根據權利要求1-5任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述光電器件包括第一電連接部，所述限位槽位于所述第一電連接部的外圍，所述安裝面設有與所述第一電連接部對應的第二電連接部，所述第一電連接部和所述第二電連接部電連接。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第二電連接部包括導電層和與所述導電層連接的焊接柱，所述導電層設于所述安裝面上，所述焊接柱與所述第一電連接部連接。

8.根據權利要求1-5任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括光電探測器，所述光電探測器設于所述半導體基板上，用于檢測所述光電器件的出光功率。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括波導器件，所述波導器件設于所述半導體基板上，并與所述傳導件分別位于所述光電器件的相對兩側，所述波導器件用于實現與所述光電器件之間的光信息傳遞。

10.一種通信設備，其特征在于，所述通信設備包括權利要求1-9任一項所述的半導體器件。

11.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供半導體基板，其中，所述半導體基板上形成有傳導件；

在所述半導體基板上形成至少三個限位支撐柱，其中，所述至少三個限位支撐柱圍設形成至少一個三角形區域；

在光電器件上形成與所述限位支撐柱一一對應的限位槽；

將所述限位支撐收容在所述限位槽內，鍵合所述光電器件和所述半導體基板，以使所述光電器件與所述傳導件耦合對準。