[發明專利]一種太赫茲調制器

在審

• 申請號: 202010235527.8
• 申請日: 2020-03-30
• 公開（公告）號: CN111381394A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 楊軍;史添;徐俊杰;王鵬;尹治平;鄧光晟;陸紅波
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1337;G02B1/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 劉鳳玲

1.一種太赫茲調制器，其特征在于，包括：多個相同的調制單元，且所述調制單元以周期性排列；所述調制單元從下到上依次設有下層介質基板、下層諧振單元、液晶層、上層諧振單元和上層介質基板；其中，

所述下層諧振單元包括4個尺寸相同的等腰梯形空氣隙，且所述等腰梯形空氣隙在所述下層諧振單元上均勻布置；

所述上層諧振單元的結構與所述下層諧振單元的結構相同，且所述上層諧振單元的等腰梯形空氣隙與所述下層諧振單元的等腰梯形空氣隙對應設置。

2.根據權利要求1所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，相鄰所述等腰梯形空氣隙之間具有一定間距。

3.根據權利要求2所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所有所述下層諧振單元的等腰梯形空氣隙的上底邊延長線圍成第一正方形，所有所述下層諧振單元的等腰梯形空氣隙的下底邊延長線圍成第二正方形，所述第一正方形的面積小于所述第二正方形的面積；所述第一正方形的中心、所述第二正方形的中心以及所述下層諧振單元的上表面的中心為同一點。

4.根據權利要求1所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所述調制單元以陣列形式排列，所述陣列的行和所述陣列的列分別設置31個所述調制單元。

5.根據權利要求1所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所述液晶層的四周，以及所述上層介質基板與所述下層介質基板之間均采用環氧樹脂進行密封，并在所述液晶層的上表面和所述液晶層的下表面用聚酰亞胺膜進行定向。

6.根據權利要求1所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所述液晶層為向列型液晶材料，所述向列型液晶材料的介電常數變化范圍為2.547-3.65。

7.根據權利要求1所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所述下層諧振單元與所述上層諧振單元均為二維亞波長金屬諧振單元。

8.根據權利要求1所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所述下層介質基板和所述上層介質基板均為石英材料，所述石英材料的介電常數為3.78，所述石英材料的損耗正切為0.02。

9.根據權利要求1所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所述下層介質基板和所述上層介質基板的厚度均為200μm，所述液晶層的厚度為45μm，所述下層諧振單元和所述上層諧振單元的厚度均為0.5μm。

10.根據權利要求2所述的一種太赫茲調制器，其特征在于，所述等腰梯形空氣隙的上底長為281.72μm，所述等腰梯形空氣隙的下底長為321.72μm，所述等腰梯形空氣隙的腰長為28.28μm，所述間距為20μm。