[發明專利]一種切割晶粒后批量轉移晶粒至藍膜的方法

在審

• 申請號: 202010230834.7
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN111446151A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 嚴立巍;李景賢;陳政勛
• 申請（專利權）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 王依

本發明公開一種切割晶粒后批量轉移晶粒至藍膜的方法，其中包括如下步驟：正面鍵合、切割研磨、背面粘膠、翻轉固定、降低粘性、脫離晶粒、溶劑清洗。本發明采用鐳射解鍵合，逐步降低粘合劑的粘性，使得玻璃載板更容易與晶粒脫離，大大降低晶粒崩裂率和成品率；在晶粒分離后使用溶劑或者化學清洗液進行清洗，徹底消除晶粒上殘留的粘合劑，便于后續晶粒的加工使用。解決了現有技術中晶粒切割工序后，晶粒由具強黏著力的UV切割藍膜上取下時，極容易發生崩裂的問題。

技術領域

本發明屬于晶圓加工領域，具體涉及一種切割晶粒后批量轉移晶粒至藍膜的方法。

背景技術

隨著半導體技術愈發普及，晶圓薄化的共同趨勢，晶圓，超薄晶圓，一般厚度為20～250微米，用于半導體器件。目前工序是將晶圓與玻璃載板鍵合，利用玻璃載板進行晶圓薄化等背面工藝，解鍵合玻璃載板，置于晶粒切割UV膜框架，以Diamond Saw或以鐳射電漿進行晶粒切割。

但是現有技術里，晶圓薄化到80微米以下后，將其通過上述工序加工再轉運至后續異地的封裝測試制程工廠，當要由具強黏著力的UV切割藍膜上取下時，極容易發生崩裂。因此設計一種晶粒切割工序后，對晶圓進行分離時避免晶粒崩裂的方法是符合實際需要的。

針對上述提出的問題，現設計一種切割晶粒后批量轉移晶粒至藍膜的方法。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種切割晶粒后批量轉移晶粒至藍膜的方法，解決了現有技術中晶粒切割工序后，晶粒由具強黏著力的UV切割藍膜上取下時，極容易發生崩裂的問題。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種切割晶粒后批量轉移晶粒至藍膜的方法，包括以下步驟：

S1、正面鍵合：將涂布粘合劑的晶圓與涂布釋放層的玻璃載板鍵合；

S2、切割研磨：對晶圓進行背面切割，背面研磨，完成晶粒切割；

S3、翻轉固定：翻轉晶粒，并將晶粒置于帶有UV型藍膜框架的膜框上；

S4、解鍵合：通過鐳射或是熱分解方式進行解鍵合，使得玻璃載板鍵合粘合劑粘性消失，進行解鍵合；

S5、脫離：玻璃載板與晶粒脫離；

S6、溶劑清洗：使用溶劑或者化學清洗液對晶粒進行清洗，將晶粒上殘留的粘合劑去除干凈；

S7、便于后續操作：已晶粒分割的硅圓置于UV型藍膜框架上，可進行后續工藝，不再有晶粒破碎的問題。

所述正面鍵合溫度為50～250℃。

所述切割研磨將晶粒的大小控制在60～80微米。

所述溶劑清洗控制溶劑或者化學清洗液的濃度在40～70％。

所述切割研磨后的晶粒之間不接觸。

本發明的有益效果：

1、本發明采用鐳射解鍵合，逐步降低粘合劑的粘性，使得玻璃載板更容易與晶粒脫離，大大降低晶粒崩裂率和成品率；

2、本發明在晶粒分離后使用溶劑或者化學清洗液進行清洗，徹底消除晶粒上殘留的粘合劑，便于后續晶粒的加工使用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明實施例的正面鍵合結構示意圖；

圖2是本發明實施例的切割研磨結構示意圖；