[發(fā)明專利]儲存級存儲器的雙列直插式存儲模塊裝置及其緩存方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010230514.1 | 申請日： | 2020-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN111274163A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周小鋒;江喜平 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | G06F12/02 | 分類號： | G06F12/02;G06F12/0871 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人： | 關(guān)麗麗;鄭建暉 |
| 地址： | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 儲存 存儲器 雙列直插式 存儲 模塊 裝置 及其 緩存 方法 | ||
本發(fā)明涉及儲存級存儲器的雙列直插式存儲模塊裝置及其緩存方法。本發(fā)明的儲存級存儲器的雙列直插式存儲模塊能夠?qū)㈦p列直插式存儲模塊上的非易失性存儲器擴展為系統(tǒng)的存儲器進行使用，使系統(tǒng)的存儲器空間增加。另外，在本發(fā)明的儲存級存儲器SCM的雙列直插式存儲模塊DIMM上存在一個核心的控制器，用于在輸出命令/地址信號以及數(shù)據(jù)信號時對其進行驅(qū)動，以提高模塊的速率性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲器領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及儲存級存儲器(Storage ClassMemory，SCM)的雙列直插式存儲模塊(Dual In-line Memory Module，DIMM)裝置及其緩存方法。
背景技術(shù)
儲存級存儲器SCM的雙列直插式存儲模塊DIMM是一種新型的雙列直插式存儲模塊，模塊上存在可以以儲存形式訪問的內(nèi)存空間。
已知現(xiàn)有技術(shù)存在的儲存級存儲器SCM的雙列直插式存儲模塊DIMM中的信號流向及接口示意圖如圖1中所示。在現(xiàn)有技術(shù)中，利用分叉(stub)信號，主機(host)或中央處理單元CPU(Central Processing Unit)能夠在正常工作時訪問動態(tài)隨機存取存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)及控制器諸如非易失性控制器NVC(Non-VolatileController)，并且通過訪問控制器來實現(xiàn)訪問非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)諸如NAND Flash的目的，從而增加系統(tǒng)的內(nèi)存空間。
分叉信號具體表現(xiàn)在如下方面：命令/地址CA(Command/Address)信號從DIMM槽(slot)輸出之后存在分叉(stub)信號，該分叉信號分別被連接至?xí)r鐘驅(qū)動器RCD(RegisterClock Driver)和控制器；數(shù)據(jù)DQ信號在數(shù)據(jù)緩沖器DB(Data Buffer)和動態(tài)隨機存儲存儲器DRAM之間也存在分叉信號。這種分叉信號在印刷電路板PCB(Print Circuit Board)實現(xiàn)高速信號時存在很大的難度，原因在于高速信號的反饋會對另一路的信號造成干擾，影響速率。
因此，亟需一種能夠解決上述問題的儲存級存儲器SCM的雙列直插式存儲模塊DIMM裝置及其緩存方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及能夠增加存儲空間及能夠提高模塊的速率性能的儲存級存儲器SCM的雙列直插式存儲模塊DIMM裝置及其緩存方法。
本發(fā)明的儲存級存儲器的雙列直插式存儲模塊能夠?qū)㈦p列直插式存儲模塊上的非易失性存儲器擴展為系統(tǒng)的內(nèi)存進行使用，使雙列直插式存儲模塊DIMM的內(nèi)存空間增加。另外，在本發(fā)明的儲存級存儲器SCM的雙列直插式存儲模塊DIMM上存在一個核心的控制器，用于在輸出命令/地址信號以及數(shù)據(jù)信號時對其進行驅(qū)動，以提高模塊的速率性能。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種儲存級存儲器的雙列直插式存儲模塊裝置，其中所述雙列直插式存儲模塊裝置包括：
第一存儲區(qū)，所述第一存儲區(qū)存儲具有第一范圍主機訪問頻率的數(shù)據(jù)；以及
第二存儲區(qū)，所述第二存儲區(qū)存儲具有第二范圍主機訪問頻率的數(shù)據(jù)；
其中，所述第一范圍主機訪問頻率大于所述第二范圍主機訪問頻率。
由此，將雙列直插式存儲模塊裝置的存儲區(qū)劃分為主機或中央處理單元頻繁讀寫的“熱區(qū)”(即，第一存儲區(qū))和主機或中央處理單元不頻繁讀寫的“冷區(qū)”(即，第二存儲區(qū))，“熱區(qū)”的處理速度相對較快，“冷區(qū)”的處理速度相對較慢。這樣，可以提高模塊裝置的速率性能。
根據(jù)本發(fā)明的儲存級存儲器的雙列直插式存儲模塊裝置的一個優(yōu)選實施方案，所述第一存儲區(qū)為動態(tài)隨機存取存儲器。
由于動態(tài)隨機存取存儲器的處理速度相對較快，通過將主機或中央處理單元頻繁讀寫的數(shù)據(jù)存儲在動態(tài)隨機存取存儲器，可以提高模塊裝置的速率性能。
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