[發明專利]一種在微米級大絨面上鈣鈦礦太陽電池的制備方法有效
| 申請號： | 202010219294.2 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN111370582B | 公開（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發明（設計）人： | 袁寧一;劉迪;丁建寧;徐一波;王書博 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | H10K71/40 | 分類號： | H10K71/40;H10K71/00;H10K30/40;H10K30/50;H10K30/87;H10K85/50 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 劉卉 |
| 地址： | 213164 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微米 級大絨 面上 鈣鈦礦 太陽電池 制備 方法 | ||
1.一種在微米級大絨面上鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下操作步驟：
S1.?在微米級絨面基底上制備電極，空穴或電子傳輸層；
S2.?在所述空穴傳輸層上制備碘化鉛-氯化鉛薄膜；
S3.?在配體蒸汽中處理碘化鉛-氯化鉛薄膜并在冷臺上降溫到N℃，得到配體-碘化鉛-氯化鉛薄膜；
S4.?在步驟S3得到的配體-碘化鉛-氯化鉛薄膜上涂布有機鹽溶液，然后在150℃干燥潔凈的空氣中退火，得到鈣鈦礦薄膜；
S5.?在步驟S4獲得的鈣鈦礦薄膜上制備電子或空穴傳輸層；
S6.?在電子或空穴傳輸層制備電極；
其中，所述N為10；
在所述步驟S3中，通過共蒸發方法制備碘化鉛-氯化鉛薄膜，二者的蒸鍍速率比為10:1；
在所述步驟S4中，所述有機鹽溶液是FAI、MAI和MACl的異丙醇溶液，其濃度為60mg/ml，其中FAI:MAI:MACl=9:1:1，摩爾比；
在所述步驟S4中，所述退火的氛圍為30%濕度的潔凈空氣。
2.根據權利要求1所述的一種在微米級大絨面上鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于：所述步驟S3的具體操作是，將制備好的碘化鉛-氯化鉛薄膜放置到真空腔體中，真空腔體中放置鉛配體溶劑，通過抽真空使得鉛配體溶劑揮發，其蒸汽與碘化鉛-氯化鉛薄膜反應形成配體-碘化鉛-氯化鉛復合薄膜。
3.根據權利要求1所述的一種在微米級大絨面上鈣鈦礦太陽電池的制備方法，所述鉛配體溶劑是DMSO、TMSO、TMS或NMP中的任意一種或幾種的混合物。
4.根據權利要求1所述的一種在微米級大絨面上鈣鈦礦太陽電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟S1中，當所述基底為不透明基底時，所述電極為金、銀或鋁中的任意一種，其制備方法為熱蒸發，當所述基底為透明基底是，所述電極為ITO，其制備方法為磁控濺射。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州大學，未經常州大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010219294.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
