[發明專利]宏粒子強化黑曲霉浸出低品位鈾礦石中鈾的方法有效
| 申請號: | 202010217710.5 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN111471859B | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 李廣悅;李芳艷;王永東;孫靜;丁德馨;胡南;李峰 | 申請(專利權)人: | 南華大學 |
| 主分類號: | C22B3/18 | 分類號: | C22B3/18;C22B60/02 |
| 代理公司: | 衡陽市科航專利事務所(普通合伙) 43101 | 代理人: | 鄒小強 |
| 地址: | 421001 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粒子 強化 曲霉 浸出 品位 鈾礦 石中鈾 方法 | ||
1.宏粒子強化黑曲霉浸出低品位鈾礦石中鈾的方法,其特征是:包括如下步驟:
A、鈾礦石的破磨
待處理低品位鈾礦石經自然風干、破碎、混勻、縮分后,通過球磨機磨細制得礦粉,礦粉過140目標準篩,取篩下低品位鈾礦粉備用;
B、配置培養基
培養基包括用于黑曲霉孢子培養的PDA培養基和用于鈾礦浸出的土豆浸粉-葡萄糖培養基,所述土豆浸粉-葡萄糖培養基,按照每1000 mL水中加入4 g土豆浸粉和20 g葡萄糖的比例制備;培養基置于121℃高壓蒸汽滅菌0.5 h后備用;
C、制備黑曲霉孢子懸液
用接種環沾取黑曲霉孢子,在PDA培養基上劃線接種,將沾取黑曲霉孢子的PDA培養基放置于30℃恒溫培養箱中培養3~5 d;然后用無菌蒸餾水沖洗PDA培養基表面成熟的黑曲霉孢子,再采用0.45 μm的過濾器對黑曲霉孢子進行過濾,過濾后滴入改良紐鮑爾計數板進行計數并稀釋,制得濃度為106~109spores/mL的孢子懸液;
D、宏粒子強化黑曲霉浸取鈾
將礦粉裝入牛皮紙袋,宏粒子放置于浸礦容器中并用牛皮紙封口,分別密封牛皮紙袋和浸礦容器后將其后置于121℃高壓蒸汽滅菌0.5h,在無菌操作臺中將冷卻后的土豆浸粉-葡萄糖培養基和孢子懸液加入到裝有宏粒子的浸礦容器中,然后放置到恒溫振蕩培養箱中0~3d,恒溫振蕩培養箱的溫度為25~35℃,轉速為150~180rpm;
在無菌操作臺中將已滅菌的礦粉加入到裝有土豆浸粉-葡萄糖培養基、孢子懸液及宏粒子的浸礦容器中,礦漿濃度為2%-4%,然后將浸礦容器放置到恒溫振蕩培養箱中,在溫度為25~35℃、轉速為150~180rpm條件下恒溫振蕩浸出2~4d;
所述的礦粉與宏粒子的質量比為1:0.5~2.5;
所述的宏粒子為陶瓷顆粒或玻璃珠,粒徑為0.5~3mm;
所述的孢子懸液與土豆浸粉-葡萄糖培養基的體積比為1:100;
E、固液分離
從恒溫振蕩培養箱中取出浸礦容器,將浸礦容器中菌絲體包裹的礦粉與宏粒子的混合物倒入過濾裝置中進行固液分離,固液分離后使用三氯化鈦還原/釩酸銨氧化滴定法測定分離出的尾渣的鈾品位,并計算出低品位鈾礦石中鈾的浸出率,浸出率的計算:(1-尾渣鈾含量/原礦鈾含量)×100%=鈾的浸出率。
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