[發明專利]射頻功率放大器

在審

• 申請號: 202010215259.3
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111431485A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 劉元鑫;張宗楠;吳杰;劉輝
• 申請（專利權）人: 四川和芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種射頻功率放大器，包括偏置電路與射頻電路，所述偏置電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第一三極管、第二三極管及放大器，所述第一三極管、第一電阻、第二電阻及第四電阻構成一共射放大器結構，所述第二三極管、第三電阻及第六電阻構成射極跟隨器結構，所述放大器的輸入端與所述第一三極管的集電極連接，其輸出端與所述第三電阻連接；所述射頻電路包括第三三極管、第一負載阻抗、第一電感及第一電容，所述第五電阻的一端與所述第三三極管的發射極連接，所述第一電感的一端、第一負載阻抗的一端均與所述第三三極管的集電極連接，所述第一電感的另一端、第一電容的一端均與一外部電源連接，所述第一電容的另一端、所述第一電阻的另一端、第一負載阻抗的另一端均接地；其特征在于，所述偏置電路還包括第二電感、第二電容及第二負載阻抗，所述第二電感的一端、第二負載阻抗的一端均與所述第一三極管的集電極連接，所述第二電感的另一端、第二電容的一端均與所述放大器的輸入端連接，所述第二電容的另一端、第二負載阻抗的另一端均接地。

2.如權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一三極管與第三極管具有相同的結構特征。

3.如權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，當所述第三三極管工作在大信號狀態下時，所述第一三極管與第三三極管的熱耗比值等于所述第一三極管與第三三極管的發射極面積的比值。

4.如權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電感與第二電感的比值等于第所述第三三極管與第一三極管的發射極面積的比值。

5.如權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述一第負載阻抗與第二負載阻抗的比值等于所述第三三極管與第一三極管的發射極面積的比值。