[發明專利]一種四光束激光干涉微納加工裝置在審
| 申請號： | 202010214502.X | 申請日： | 2020-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN111308864A | 公開（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發明（設計）人： | 李永亮;王馳;楊超 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市誠輝律師事務所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 130022 *** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光束 激光 干涉 加工 裝置 | ||
1.一種四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：包括第一激光干涉微納加工單元、第二激光干涉微納加工單元、第三激光干涉微納加工單元和第四激光干涉微納加工單元，所述第一激光干涉微納加工單元、半反半透鏡與所述第二激光干涉微納加工單元依次排列，所述第三激光干涉微納加工單元、所述半反半透鏡與所述第四激光干涉微納加工單元依次排列，所述第一激光干涉微納加工單元與所述第二激光干涉微納加工單元關于所述半反半透鏡對稱，所述第三激光干涉微納加工單元與所述第四激光干涉微納加工單元關于所述半反半透鏡對稱，所述第一激光干涉微納加工單元與所述第三激光干涉微納加工單元結構相同。
2.如權利要求1所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述第一激光干涉微納加工單元包括依次排列的反射鏡、腔內輸出鏡、激光發出組件、1/4波片和調Q模塊。
3.如權利要求2所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述激光發出組件包括高壓脈沖氙燈和Nd:YAG晶體，所述高壓脈沖氙燈與所述Nd:YAG晶體相對設置；所述高壓脈沖氙燈尺寸7*180mm，極間距為110mm；激光晶體Ce-Nd:YAG尺寸均為ф7*110mm。
4.如權利要求1所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述第一激光干涉微納加工單元與所述第三激光干涉微納加工單元夾角為30°，所述第二激光干涉微納加工單元與所述第四激光干涉微納加工單元夾角為30°。
5.如權利要求2～4中任一項所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述激光發出組件采用四燈四棒，一充四放的工作方式。
6.如權利要求5所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述反射鏡為平面反射鏡，所述平面反射鏡采用K9玻璃制成，所述平面反射鏡尺寸為ф30mm，所述平面反射鏡反射面鍍全反射膜HR@1064nm。
7.如權利要求5所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述腔內輸出鏡為達曼透射光柵輸出鏡。
8.如權利要求5所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述半反半透鏡為透射式達曼光柵半反半透鏡。
9.如權利要求5所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述四光束激光干涉微納加工裝置用于加工金屬材料或者非金屬材料。
10.如權利要求9所述的四光束激光干涉微納加工裝置，其特征在于：所述金屬材料包括鈦或者不銹鋼，所述非金屬材料包括硅片或者陶瓷。
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