[發明專利]雙倍增內線幀轉移CCD結構

有效

• 申請號: 202010199402.4
• 申請日: 2020-03-20
• 公開（公告）號: CN111193887B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 王小東;鐘四成;汪朝敏;李立;熊平
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H04N5/372
• 分類號: H04N5/372;H04N5/378
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 王海軍

1.雙倍增內線幀轉移CCD結構，包括倍增像元陣列、存儲區陣列、水平轉移區以及讀出放大器，其特征在于，倍增像元陣列、存儲區陣列并排設置在CCD結構的襯底上，存儲區陣列通過垂直轉移柵與水平轉移區連接，水平轉移區的末端通過輸出節點與讀出放大器連接；所述倍增像元陣列中的像元中設置有像元光敏區和像元光敏區一側的像元垂直轉移區；所述像元的光敏區中設置像元倍增柵和像元倍增結構，且像元倍增柵和像元倍增結構通過時序驅動進行控制；存儲區陣列上層擋光，所述存儲區陣列由快態轉移驅動時序、存儲區垂直轉移驅動時序進行驅動，且所述快態轉移驅動時序、存儲區垂直轉移驅動時序相互獨立；水平轉移區包括依次連接的水平移位寄存器、第一過掃位、倍增移位寄存器、第二過掃位以及水平輸出柵，倍增移位寄存器包括至少兩相的水平轉移驅動柵、一相的直流驅動柵、一相的高壓倍增驅動柵。

2.根據權利要求1所述的雙倍增內線幀轉移CCD結構，其特征在于，倍增像元陣列的外沿設置有暗參考行和暗參考列。