[發(fā)明專利]天線裝置及電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010195147.6
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111370870B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設計）人: 雍征東
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01Q3/00
• 分類號: H01Q3/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 邢惠童

1.一種天線裝置，其特征在于，所述天線裝置包括至少一層介質基板、接地金屬層、輻射貼片、第一饋電結構、第一偏轉貼片和射頻芯片；

所述接地金屬層、所述至少一層介質基板和所述輻射貼片層疊設置，所述第一饋電結構貫穿所述至少一層介質基板，所述第一饋電結構的第一端與所述輻射貼片連接，所述第一饋電結構的第二端穿過所述接地金屬層，且與所述射頻芯片電連接，所述第一饋電結構與所述接地金屬層之間形成第一間隙，所述射頻芯片用于饋入第一激勵信號至所述第一饋電結構，所述第一激勵信號用于激勵所述輻射貼片輻射波束；

所述第一偏轉貼片固定在第一層介質基板上遠離所述接地金屬層的一側，所述第一偏轉貼片位于所述輻射貼片的第一側，所述第一偏轉貼片能夠由非晶態(tài)轉換為晶態(tài)，或者由晶態(tài)轉換為非晶態(tài)，所述第一層介質基板為所述至少一層介質基板中的任一層介質基板，所述第一偏轉貼片用于在晶態(tài)時促使所述輻射貼片基于所述第一激勵信號輻射的波束偏轉；

所述天線裝置還包括第二饋電結構和第三偏轉貼片，所述第二饋電結構貫穿所述至少一層介質基板，所述第二饋電結構的第一端與所述輻射貼片電連接，所述第二饋電結構的第二端穿過所述接地金屬層，且與所述射頻芯片電連接，所述第二饋電結構與所述接地金屬層之間形成第二間隙，所述射頻芯片用于饋入第二激勵信號至所述第二饋電結構，所述第二激勵信號用于激勵所述輻射貼片輻射波束；

所述第三偏轉貼片位于所述輻射貼片上與第一側相鄰的第三側，所述第三偏轉貼片能夠由非晶態(tài)轉換為晶態(tài)，或者由晶態(tài)轉換為非晶態(tài)，所述第三偏轉貼片用于在晶態(tài)時促使所述輻射貼片基于所述第二激勵信號輻射的波束的偏轉。

2.如權利要求1所述的天線裝置，其特征在于，所述天線裝置還包括第一導電結構；

所述第一導電結構貫穿所述至少一層介質基板，所述第一導電結構的第一端與所述第一偏轉貼片連接，所述第一導電結構的第二端穿過所述接地金屬層，且用于與外接電路電連接，所述第一導電結構與所述接地金屬層絕緣設計，所述外接電路用于饋入第一電信號至所述第一導電結構，所述第一電信號用于激勵所述第一偏轉貼片由非晶態(tài)轉換為晶態(tài)，或者由晶態(tài)轉換為非晶態(tài)。

3.如權利要求1所述的天線裝置，其特征在于，所述輻射貼片與所述第一偏轉貼片之間的距離大于或等于0.2且小于或等于2毫米。

4.如權利要求1所述的天線裝置，其特征在于，所述天線裝置還包括第二偏轉貼片；

所述第二偏轉貼片固定在所述第一層介質基板上遠離所述接地金屬層的一側，所述第二偏轉貼片位于所述輻射貼片上與第一側相對的第二側，所述第二偏轉貼片能夠由非晶態(tài)轉換為晶態(tài)，或者由晶態(tài)轉換為非晶態(tài)。

5.如權利要求1所述的天線裝置，其特征在于，所述天線裝置還包括第二偏轉貼片；

所述第二偏轉貼片固定在第二層介質基板上遠離所述接地金屬層的一側，所述第二偏轉貼片位于所述輻射貼片上與第一側相對的第二側，所述第二偏轉貼片能夠由非晶態(tài)轉換為晶態(tài)，或者由晶態(tài)轉換為非晶態(tài)，所述第二層介質基板為所述至少一層介質基板中不同于所述第一層介質基板的一層介質基板。

6.如權利要求4所述的天線裝置，其特征在于，當所述第二偏轉貼片固定在所述第一層介質基板上遠離所述接地金屬層的一側時，所述第三偏轉貼片固定在所述第一層介質基板或第三層介質基板上遠離所述接地金屬層的一側，所述第三層介質基板為所述至少一層介質基板中不同于所述第一層介質基板的一層介質基板。

7.如權利要求6所述的天線裝置，其特征在于，所述天線裝置還包括第四偏轉貼片；

當所述第三偏轉貼片固定在所述第一層介質基板上遠離所述接地金屬層的一側時，所述第四偏轉貼片固定在所述第一層介質基板或第四層介質基板上遠離所述接地金屬層的一側，所述第四層介質基板為所述至少一層介質基板中不同于所述第一層介質基板的一層介質基板；

所述第四偏轉貼片位于所述輻射貼片上與第三側相對的第四側，所述第四偏轉貼片能夠由非晶態(tài)轉換為晶態(tài)，或者由晶態(tài)轉換為非晶態(tài)。