[發明專利]一種電控光纖光柵的制備方法

在審

• 申請號: 202010193674.3
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111338021A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 劉申;王義平;趙媛媛;羅俊賢;陳燕蘋;楊勇
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 李健威

1.一種電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：對光纖進行預處理，以在所述光纖沿軸向分布的法位光柵調制區上制作覆蓋一電磁感應材料層，形成光纖光柵元件；

步驟S2：采用交變磁場與所述電磁感應材料層相作用，使所述電磁感應材料層發熱進而對所述光纖的法位光柵調制區進行加熱，以改變所述法位光柵調制區的折射率，形成光纖光柵。

2.根據權利要求1所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，在步驟S2之后，還包括如下步驟：

步驟S3：通過控制所述交變磁場將所述光纖光柵的實時寫制光譜調制為所需寫制光譜。

3.根據權利要求2所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，步驟S3包括如下步驟：

步驟S3.1：向所述光纖光柵元件內耦合進檢測光束；

步驟S3.2：接收從所述光纖光柵元件內透射或反射出來的光束，得到所述光纖光柵的實時寫制光譜；

步驟S3.3：控制所述交變磁場，將所述光纖光柵的實時寫制光譜調制為所需寫制光譜。

4.根據權利要求2或3所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，通過控制所述交變磁場的磁場強度和/或交變頻率，來調制所述光纖光柵的諧振峰值波長、損耗峰強度和制備調制時間中的至少一樣。

5.根據權利要求2或3所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，通過控制產生所述交變磁場的交變電流來控制所述交變磁場。

6.根據權利要求5所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，通過控制所述交變電流的電流電壓強度和/或交變頻率，來調制所述光纖光柵的諧振峰值波長、損耗峰強度和制備調制時間中的至少一樣。

7.根據權利要求1所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，步驟S1包括如下步驟：

步驟S1.1：根據相位匹配公式，確定所需光纖光柵的法位光柵調制區沿所述光纖軸向分布的位置；

步驟S1.2：在所述光纖沿軸向分布的法位光柵調制區上制作覆蓋所述電磁感應材料層。

8.根據權利要求7所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，步驟S1.2包括如下步驟：

步驟S1.2.1：在所述光纖表面上制作覆蓋一絕緣隔熱材料層；

步驟S1.2.2：將覆蓋于所述法位光柵調制區上的絕緣隔熱材料層進行剝離，使所述法位光柵調制區從所述絕緣隔熱材料層中露出；

步驟S1.2.3：在露出的法位光柵調制區上制作覆蓋所述電磁感應材料層。

9.根據權利要求7所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，步驟S1.2包括如下步驟：

步驟S1.2.1：在所述光纖表面上制作覆蓋一涂覆材料層；

步驟S1.2.2：將覆蓋于所述法位光柵調制區上的涂覆材料層進行剝離，使所述法位光柵調制區從所述涂覆材料層中露出；

步驟S1.2.3：在露出的法位光柵調制區上制作覆蓋所述電磁感應材料層；

步驟S1.2.4：將剩余的涂覆材料層進行剝離。

10.根據權利要求7所述的電控光纖光柵的制備方法，其特征在于，步驟S1.2包括如下步驟：

步驟S1.2.1：在所述光纖表面上制作覆蓋所述電磁感應材料層；

步驟S1.2.2：在所述電磁感應材料層表面上制作覆蓋一光敏材料層；

步驟S1.2.3：對所述光敏材料層進行曝光顯影，使覆蓋于所述法位光柵調制區之外的電磁感應材料層從所述光敏材料層中露出；

步驟S1.2.4：對露出的電磁感應材料層進行刻蝕。