[發(fā)明專利]一種具有平面結(jié)構(gòu)的高效鈣鈦礦太陽能電池的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010192696.8 | 申請日: | 2020-03-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111416042A | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張青紅;趙宇;張歆;侯成義;王宏志;李耀剛 | 申請(專利權(quán))人: | 東華大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/00 |
| 代理公司: | 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233 | 代理人: | 魏峯 |
| 地址: | 201620 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 平面 結(jié)構(gòu) 高效 鈣鈦礦 太陽能電池 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種具有平面結(jié)構(gòu)的高效鈣鈦礦太陽能電池的制備方法。該方法包括:在導(dǎo)電玻璃(1)上依次形成電子傳輸層(2)、吸光層(3)、空穴傳輸層(4)、對電極(5)。該方法既可以大大節(jié)省制備成本及制備周期,又能夠有效提高鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率及穩(wěn)定性,具有極大的應(yīng)用價(jià)值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽能電池的制備領(lǐng)域,特別涉及一種具有平面結(jié)構(gòu)的高效鈣鈦礦太陽能電池的制備方法。
背景技術(shù)
鈣鈦礦太陽能電池是近年來備受關(guān)注的一種新興太陽能電池,由于制備成本低,制備工藝簡單,光電轉(zhuǎn)換效率高等諸多優(yōu)點(diǎn),被廣泛認(rèn)為是當(dāng)今最具發(fā)展?jié)摿Φ囊豁?xiàng)光伏技術(shù)。鈣鈦礦太陽能電池中的吸光層材料大多采用ABX3(A=CH3NH3+、CH(NH2)2+及Cs+等;B=Pb2+和Sn2+等;X=Cl-、Br-和I-等)具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的材料。
目前,沉積鈣鈦礦薄膜的方法主要分為一步法和兩步法。其中,一步法在不使用具有毒性的反溶劑的情況下,不易控制鈣鈦礦的成核生長過程,造成薄膜覆蓋度和均勻性較差。為此,2013年,文獻(xiàn)“J.Burschka,N.Pellet,S.J.Moon,R.Humphry-Baker,P.Gao,M.K.Nazeeruddin and M.Sequential deposition as a route to high-performance perovskite-sensitized solar cells,Nature,2013,499,316–319.”首次通過兩步法制備出光電轉(zhuǎn)換效率為15%的鈣鈦礦太陽能電池。眾多研究表明兩步法更有利于制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜,并且可以為鈣鈦礦薄膜的改性優(yōu)化提供更多的選擇。但是兩步法仍熱存在亟待解決的問題,如制備的鈣鈦礦薄膜中會(huì)有PbI2的殘留,薄膜內(nèi)部缺陷較多,這些都會(huì)造成嚴(yán)重的載流子復(fù)合以及遲滯現(xiàn)象,相比介孔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池,這些問題在平面結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池中更為嚴(yán)重。
文獻(xiàn)“G.Chen,J.H.Zheng,L.L.Zheng et al,Crack-free CH3NH3PbI3 layer viacontinuous dripping method for high-performance mesoporous perovskite solarcells,Applied Surface Science,2017,392,960-965.”“H.X.Sun,K.M.Deng,Y.Y.Zhu etal,A novel conductive mesoporous layer with a dynamic two-step depositionstrategy boosts efficiency of perovskite solar cells to 20%,AdvancedMaterials,2018,30,1801935.”“J.M.Bing,Jincheol Kim,M.Zhang et al,The impact ofa dynamic two-step solution process on film formation of Cs0.15(MA0.7FA0.3)0.85PbI3 perovskite and solar cell performance,Small,2019,15,1804858.”均采用改進(jìn)的動(dòng)態(tài)連續(xù)沉積兩步法,通過在PbI2前驅(qū)體溶液中引入DMSO、Cs等方法,有效減少了PbI2的殘留,提高了鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量及電池器件的轉(zhuǎn)換效率。但是,以上研究均基于以TiO2為電子傳輸層的介孔結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
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