[發(fā)明專利]一種齒科修復用可光固化牙本質粘結劑及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010191890.4 | 申請日: | 2020-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN111437201A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張青紅;涂寶麗;李耀剛;王宏志;侯成義 | 申請(專利權)人: | 東華大學 |
| 主分類號: | A61K6/887 | 分類號: | A61K6/887;A61K6/76;A61K6/30;C08F222/20;C08F220/20;C08F2/48 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人: | 宋旭 |
| 地址: | 201620 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 齒科 修復 光固化 牙本質 粘結 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種齒科修復用可光固化牙本質粘結劑及其制備方法,所述粘結劑中的填料為改性SiC晶須。本方法工藝簡單可靠,產品體系穩(wěn)定,力學性能優(yōu)異,具有廣泛的應用前景。
技術領域
本發(fā)明屬于齒科自酸蝕粘結劑及其制備領域,特別涉及一種齒科修復用可光固化牙本質粘結劑及其制備方法。
背景技術
碳化硅晶須常用于金屬基、陶瓷基、高分子聚合物基復合材料增強增韌,其在生物陶瓷方面可以作為人造牙齒、骨頭、關節(jié)等。
粘結劑是與齒科修復復合樹脂配套使用的液態(tài)物質,自酸蝕粘結劑本身為酸性,減少了修復過程中磷酸酸蝕步驟,依靠其組成中可聚合的酸性功能單體完成酸蝕。大多數的樹脂基粘結劑,其主要組分為雙酚A-甲基丙烯酸縮水甘油酯(Bis-GMA)、二甲基丙烯酸三乙二醇酯(TEGDMA)、甲基丙烯酸羥乙酯(HEMA)等。一般來說,牙科粘結劑中總是含有填料的。填料的發(fā)展,從玻璃粉,硅酸鹽到納米尺寸的熱解法二氧化硅以及離子可浸出的玻璃填料,再發(fā)展到具有獨特的籠形結構的POSS顆粒(多面體低聚倍半硅氧烷)等。一般粘結劑中加入的填料活性較高,極性較大,表面一般具有親水性,而樹脂基體極性較弱,兩者之間存在界面問題,因此一般加入的填料均需預活化。傳統試驗中往往采用磷酸鹽和硅烷類化合物進行礦物質的表面處理。硅烷類化合物以γ-甲基丙基酰氧丙基三甲氧基硅烷(γ-MPS或KH-570)最為常用。
目前,自酸蝕粘結劑商品都無法完全封閉修復體的邊緣,有可能存在納米滲漏,納米滲漏孔徑一般在20~100nm,并且隨著樹脂的固化收縮在粘結界面處出現應力從而導致縫隙出現,最終發(fā)展成微滲漏。所以對自酸蝕粘結劑成分進行調控,提高其粘結性能并賦予其抗菌性能對于實際應用有重要意義。
CN109758371A公開了一種齒科修復用可光固化牙本質粘結劑及其制備和應用,但其粘結強度不高,無法緩解術后微滲漏的發(fā)生。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種齒科修復用可光固化牙本質粘結劑及其制備方法,克服現有技術無法明顯提高自酸蝕粘結劑的粘結強度以及術后容易發(fā)生微滲漏的缺陷,本發(fā)明方法通過將SiC晶須使用硅烷偶聯劑進行改性,并將其均勻地分散在粘結劑基體中,通過其高強度的特性和比較大的長徑比來增加粘結強度。
本發(fā)明提供一種可光固化牙本質粘結劑組合物,按質量分數,所述粘合劑組分包括:樹脂單體40~50%,交聯性單體和單官能團共聚單體35~45%,光引發(fā)劑0.1~0.3%,助引發(fā)劑0.7~0.9%,酸蝕性單體2~10%,阻聚劑0.01~0.2%,溶劑5~15%,填料0~0.7%;所述填料為改性SiC晶須;樹脂單體與交聯性單體的摩爾比為4:1-1:4。
所述樹脂單體為雙酚A-甲基丙烯酸縮水甘油酯Bis-GMA;交聯性單體為二甲基丙烯酸三乙二醇酯TEGDMA;單官能團共聚單體為甲基丙烯酸羥乙酯HEMA;光引發(fā)劑為樟腦醌CQ;助引發(fā)劑為對二甲氨基苯甲酸乙酯4-EDMAB;酸蝕性單體為10-(2-甲基丙烯酰氧基)磷酸單癸酯10-MDP;阻聚劑為2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚BHT;溶劑為水。
所述改性SiC晶須的粒度為0.05~2.5μm,20≤長徑比≤300。
所述改性SiC晶須具體為:SiC晶須超聲分散到有機溶劑中,滴加表面修飾劑,加熱攪拌,旋蒸、真空干燥,得到改性SiC晶須。
所述表面修飾劑為γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷中的一種或幾種。
所述樹脂單體與交聯性單體的摩爾比為3:2;填料質量百分含量為0.1-0.5%。
本發(fā)明提供一種可光固化牙本質粘結劑組合物的制備方法,包括:
(1)將SiC晶須超聲分散到有機溶劑中,滴加表面修飾劑,加熱攪拌,旋蒸、真空干燥,得到改性SiC晶須;
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