[發明專利]磁性隨機存儲器的讀出電路

在審

• 申請號: 202010190163.6
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN113496729A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 戴瑾;朱怡皓
• 申請（專利權）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種磁性隨機存儲器的讀出電路，用于讀取磁性隨機存儲器磁性存儲單元信息的前級讀出電路，所述磁性存儲單元包括磁性隧道結和存取晶體管，其特征在于，

一讀通路負載管用以提供讀操作的基準電流至待測的磁性存儲單元；

所述磁性存儲單元的存取晶體管串聯連接所述讀通路負載管，存取晶體管另一端電性連接磁性隧道結的一端，且在給定的字線電壓偏置下，所述存取晶體管被設置于飽和區，形成共柵極放大器。藉此所述讀通路負載管與存取晶體管連接節點形成放大輸出的讀取電壓；所述讀取電壓和參考電壓一起作為讀通路下一級電壓靈敏放大器的輸入。

2.根據權利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述讀通路負載管為P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管。

3.根據權利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述存取晶體管為N溝道金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管，且所述存取晶體管的漏極耦合到讀通路負載管的漏極，所述存取晶體管的源極耦合到磁性隧道結的一端。

4.根據權利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述參考電壓在給定的讀電流下，通過多路預先被設置為平行態電阻和反平行態電阻的磁性隧道結參考存儲單元并聯形成標準電阻而產生。

5.根據權利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述參考電壓在給定的讀電流下，通過配置高精度薄膜電阻產生。

6.根據權利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述電壓靈敏放大器將輸入的讀取電壓和參考電壓完成大小比較，再由一鎖存器接受比較結果轉換成數字信號，從而完成對所選中磁性存儲單元阻態信息的讀取操作。