[發明專利]一種黑磷單晶片的制備方法

在審

• 申請號: 202010189798.4
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN113493929A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 喻學鋒;喻彬璐;王佳宏
• 申請（專利權）人: 深圳市中科墨磷科技有限公司;深圳先進技術研究院
• 主分類號: C30B29/02
• 分類號: C30B29/02;C30B25/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，包括兩個步驟：催化劑制備以及磷源同催化劑反應，從而得到黑磷單晶片。

2.根據權利要求1所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述催化劑為SnIP三元化合物，所述催化劑制備具體如下：將反應原料按照SnIP三元化合物化學計量比稱取并充分混合均勻，然后加入石英管中抽真空密封，置于馬弗爐中在300℃～520℃下處理2～96h得到SnIP三元化合物。

3.根據權利要求2所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述SnIP三元化合物的制備原料為單質錫、單質磷兩原料與碘單質、碘化亞錫或四碘化錫的組合。

4.根據權利要求1所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述磷源同催化劑反應包括以下具體步驟：

1)將磷源和催化劑按照一定質量比例加入到密封反應器中；

2)把反應器置于加熱裝置在一定溫度下燒結一定時長，最終得到黑磷單晶片。

5.根據權利要求4所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中所述磷源為紅磷或黃磷，原料狀態優選顆粒或塊狀。

6.根據權利要求4所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述磷源和催化劑的質量比例為(40～0.5):1。

7.根據權利要求4所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述密封反應器為陶瓷管、不銹鋼管或熔封的石英管。

8.根據權利要求4所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中加熱裝置為單溫區管式爐、多溫區(雙溫區及以上)管式爐、馬弗爐、箱式爐、微波爐或單晶爐中的一種。

9.根據權利要求4所述的黑磷單晶片的制備方法，其特征在于，所述燒結溫度為420℃～550℃，燒結時長2～120h。

10.一種如權利要求1～9任一項所述的黑磷單晶片的制備方法得到的黑磷單晶片，其特征在于，可以應用于柔性器件、傳感器、微電極、光電催化、電池和晶體場效應管。