[發明專利]上電極中置電極對角分布垂直腔面發射半導體激光器

有效

• 申請號: 202010189149.4
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111370994B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 晏長嶺;逄超;楊靜航;馮源;郝永芹;張劍家
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/187;H01S5/30
• 代理公司: 長春眾邦菁華知識產權代理有限公司 22214
• 代理人: 王丹陽

1.一種上電極中置電極對角分布垂直腔面發射半導體激光器，自上而下依次是上電極(1)、歐姆接觸層(2)、上分布布拉格反射鏡(3)、氧化物限制層(4)、有源增益區(5)、下分布布拉格反射鏡(6)、襯底(7)；歐姆接觸層(2)、上分布布拉格反射鏡(3)、有源增益區(5)層疊在一起構成一個中空的柱體，圓柱形齊頂高阻區(9)位于該柱體的中空部分，遮擋成形層(10)位于齊頂高阻區(9)的頂面上；其特征在于，所述的中空的柱體包括兩部分，一部分是內含齊頂高阻區(9)的圓環柱體，該圓環柱體的軸線與圓柱形齊頂高阻區(9)的軸線重合，另一部分是自所述圓環柱體側面任意處拓展出去的螺旋線柱體，該螺旋線柱體的螺旋線極坐標方程為其中初始極半徑ρ₀在115μm～200μm范圍內確定，形變因子ε在0.5～3.0范圍內確定，極角在范圍內確定；上電極(1)位于所述螺旋線柱體的上表面上，由螺旋線一段圓弧線和一段直線圍合而成；中置電極(8)位于下分布布拉格反射鏡(6)的內鏡面上，且位于所述中空的柱體之外，中置電極(8)的形狀與上電極(1)的形狀相同；上電極(1)與中置電極(8)以上電極(1)的幾何中心與中置電極(8)的幾何中心的連線與所述圓環柱體軸線的交點O'為對稱中心呈點對稱分布。

2.根據權利要求1所述的上電極中置電極對角分布垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，上電極(1)、中置電極(8)以及遮擋成形層(10)的材料相同，均為Ti/Pt/Au或者Ni/Ge/Au。