[發(fā)明專利]一種紅外點源引偏裝置及控制方法

有效

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• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111521068B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 康為民;李延偉;高清京;董玥然;史先鋒;李江濤
• 申請（專利權）人: 哈爾濱新光光電科技股份有限公司
• 主分類號: F41H11/02
• 分類號: F41H11/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及紅外模擬仿真領域。本發(fā)明公開了一種紅外點源引偏裝置及控制方法，裝置包括：與電極接觸的金屬片，用于通過加熱升溫和自然降溫過程所能達到的幀頻和溫度范圍模擬目標的紅外輻射特性。控制方法包括：根據(jù)目標的紅外輻射特性確定通電電壓；根據(jù)所述通電電壓對金屬片進行通電加熱。本發(fā)明滿足高幀頻要求，用于模擬要地目標的紅外輻射特性；為要地防御使用提供了堅實的技術保障，可以作為導彈攔截失敗后對要地的最后保護手段，是一種不同于已有技術研發(fā)思路的新方案。

技術領域

本發(fā)明涉及紅外模擬仿真領域，具體涉及一種紅外點源引偏裝置及控制方法。

背景技術

在要地目標防御體系中，針對機動性能好、突防能力強的紅外成像制導系統(tǒng)，末制導階段的防空是保護目標的最后保障。現(xiàn)有技術中的末制導階段防空手段包括光電假目標和紅外誘餌等手段，但現(xiàn)有技術中未出現(xiàn)利用極薄金屬片模擬紅外特性的點源引偏裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的是解決現(xiàn)有技術中未出現(xiàn)利用極薄金屬片模擬紅外特性的點源引偏裝置的缺陷。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種紅外點源引偏裝置，包括：

與電極接觸的金屬片，用于通過通電時的加熱升溫和自然降溫過程所能達到的幀頻和溫度范圍模擬目標的紅外輻射特性。

優(yōu)選地，所述電極的受控于控制器，所述控制器通過控制通電電壓使所述金屬片達到預設的溫度范圍和幀頻。

優(yōu)選地，所述金屬片為連續(xù)導電結構。

優(yōu)選地，所述金屬片為鈦片。

優(yōu)選地，紅外點源引偏裝置還包括外殼、底板和固定裝置；所述密封殼體與底板組成密封結構，所述固定裝置用于將金屬片固定在密封結構內(nèi)部。

優(yōu)選地，所述外殼上設置有能夠透過紅外波的紅外窗口。

優(yōu)選地，所述外殼上還設置有窗口壓板和O型圈，其中窗口壓板和紅外窗口之間使用O型圈進行雙向端面密封；底板與外殼之間使用O型圈進行端面密封。

優(yōu)選地，所述外殼上設置有充氣接頭，用于向密封結構內(nèi)部填充保護氣體。

優(yōu)選地，還包括銅壓塊、兩層陶瓷壓板和調(diào)整頂絲，其中銅壓塊蓋壓在電極和金屬片上，使電機和金屬片能夠充分接觸導電；金屬片由兩層陶瓷壓板擠壓固定；調(diào)整頂絲用于調(diào)整陶瓷壓板的預緊力，以保證壓緊金屬片。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種紅外點源引偏裝置的控制方法，包括：根據(jù)目標的紅外輻射特性確定通電電壓；根據(jù)所述通電電壓對金屬片進行通電加熱。

本發(fā)明的技術效果是：

1、能夠實現(xiàn)快速加熱升溫(500℃～1000℃)與自然降溫(1000℃～500℃)，滿足高幀頻要求(10Hz)，用于模擬要地目標的紅外輻射特性；整體結構簡單，密封環(huán)境良好，且成本低，為要地防御使用(陣列排布)提供了堅實的技術保障，可以作為導彈攔截失敗后對要地的最后保護手段，是一種不同于已有技術研發(fā)思路的新方案；

2、采用一定寬度的連續(xù)導電結構形式，建立了金屬片加熱及降溫過程的數(shù)學模型，用于指導金屬片材料選擇；

3、在一個實施例中采用2μm厚的鈦片作為加熱元件，在500℃～1000℃升溫過程中，所用時間為50ms；在1000℃～500℃自然降溫過程中，所用時間為50ms；實現(xiàn)了高幀頻(10Hz)的要求，可用于模擬要地目標紅外輻射特性。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

附圖說明

被結合在說明書中并構成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。