[發(fā)明專利]位線預(yù)充電電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010189066.5
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN112053713A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 拉雷特·古普塔;戈拉維·拉坦·辛格拉;法赫爾丁·阿里·博赫拉;施里·薩加爾·德維韋迪
• 申請（專利權(quán)）人: ARM有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種器件，包括：

位單元的陣列，具有耦接到所述位單元的列的位線；以及

開關(guān)結(jié)構(gòu)，所述開關(guān)結(jié)構(gòu)耦接在所述位線和供電電壓之間，其中，所述開關(guān)結(jié)構(gòu)在被激活時將所述位線預(yù)充電到所述供電電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括：耦接到所述位單元的行的字線，其中，所述陣列中的每個位單元是能夠經(jīng)由所述字線中的選定的字線和所述位線中的選定的位線訪問的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述供電電壓指的是具有接近零伏0V的電壓的地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述開關(guān)結(jié)構(gòu)利用預(yù)充電信號進(jìn)行激活，從而在讀操作或?qū)懖僮髦盎蛑髮⑺鑫痪€預(yù)充電到地。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述位線包括第一位線和作為所述第一位線的互補(bǔ)的第二位線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述開關(guān)結(jié)構(gòu)包括N型晶體管，所述N型晶體管具有耦接到所述位線的漏極和耦接到所述供電電壓的源極，所述供電電壓指的是地。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述N型晶體管利用耦接到其柵極的預(yù)充電信號進(jìn)行激活。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中，在讀操作或?qū)懖僮髦盎蛑?，利用所述預(yù)充電信號激活所述N型晶體管，從而將所述位線預(yù)充電到地。

9.一種系統(tǒng)，包括：

存儲器電路，所述存儲器電路具有按照列和行布置的位單元的多個陣列；

多組互補(bǔ)位線，所述互補(bǔ)位線耦接到所述位單元的列；

字線，所述字線耦接到所述位單元的行；以及

預(yù)充電電路，所述預(yù)充電電路具有耦接在所述互補(bǔ)位線和地之間的多組預(yù)充電晶體管，其中，所述預(yù)充電晶體管被配置為在被激活時將所述互補(bǔ)位線放電到地。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，還包括：

列復(fù)用器電路，所述列復(fù)用器電路耦接到所述多組互補(bǔ)位線，

其中，所述列復(fù)用器電路被配置為利用所述字線中的選定的字線和所述多組互補(bǔ)位線中的選定的位線來訪問所述位單元的多個陣列中的每個位單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，還包括：

讀寫電路，所述讀寫電路耦接到所述列復(fù)用器電路，

其中，所述讀寫電路被配置為在讀操作期間從所訪問的位單元讀數(shù)據(jù)，并且

其中，所述讀寫電路被配置為在寫操作期間將數(shù)據(jù)寫到所訪問的位單元。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，地指的是接近零伏0V的地供電電壓。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述預(yù)充電晶體管利用預(yù)充電信號進(jìn)行激活，從而在讀操作或?qū)懖僮髦盎蛑髮⑺龌パa(bǔ)位線預(yù)充電到地。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述預(yù)充電晶體管包括耦接在所述互補(bǔ)位線和地之間的N型晶體管，并且其中，所述N型晶體管利用耦接到其柵極的預(yù)充電信號進(jìn)行激活。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中，在讀操作或?qū)懖僮髦盎蛑?，利用所述預(yù)充電信號激活所述N型晶體管，從而在被激活時將所述互補(bǔ)位線放電到地。

16.一種方法，包括：

提供能夠經(jīng)由位線訪問的位單元的陣列；

將晶體管耦接在所述位線和地電壓之間；以及

在執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮髦盎蛑?，將所述晶體管預(yù)充電到所述地電壓。