[發(fā)明專利]一種改善相位特性的共射共基放大電路及信號(hào)處理系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010189058.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111277227A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪楠;雷傳球;胡自潔;曹原;倪建興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 銳石創(chuàng)芯（深圳）科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/12
• 分類號(hào): H03F1/12;H03F1/08;H03F1/42;H03F1/56;H03F1/02
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：該放大電路包括共射三極管Q1、共基三極管Q2和電容C1，所述共射三極管Q1的基極作為該放大電路的信號(hào)輸入端，所述共射三極管Q1的集電極與所述共基三極管Q2的發(fā)射極連接，所述共射三極管Q1的發(fā)射極接地；所述共基三極管Q2的基極上加載控制信號(hào)，所述共基三極管Q2的集電極作為該放大電路的信號(hào)輸出端；

所述電容C1的第一極板連接所述共基三極管Q2的基極，第二極板與所述共射三極管Q1的發(fā)射極共地，用于保證所述共基三極管Q2的偏置信號(hào)是以共射三極管Q1的地作為參考點(diǎn)；

所述電容C1用于穩(wěn)定在射頻頻段所述共基三極管Q2的基極電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：所述電容C1的電容值小于10pF。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：還包括三極管Q3，所述三極管Q3的信號(hào)輸出端接電源及接所述共射三極管Q1的基極，控制端用于信號(hào)輸入，低電源端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：所述三極管Q3的信號(hào)輸出端通過(guò)電容C2接所述共射三極管Q1的基極。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：所述三極管Q3的信號(hào)輸出端通過(guò)濾波電路接電源。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：還包括向所述共射三極管Q1、所述共基三極管Q2和所述三極管Q3提供偏置信號(hào)的偏置電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：所述共基三極管Q2的集電極經(jīng)濾波電路接電源。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：還包括向所述共射三極管Q1和所述共基三極管Q2提供偏置信號(hào)的偏置電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善相位特性的共射共基放大電路，其特征在于：所述共射三極管Q1和所述共基三極管Q2為同極性三極管。

10.一種信號(hào)處理系統(tǒng)，其特征在于：包括權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的改善相位特性的共射共基放大電路。