[發明專利]升降壓驅動電路、空調器、方法和計算機可讀存儲介質在審
| 申請號: | 202010188836.4 | 申請日: | 2020-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN111200371A | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發明(設計)人: | 趙鳴;黃招彬;曾賢杰;文先仕;張杰楠;徐錦清;胡斌;龍譚;井上薰 | 申請(專利權)人: | 美的集團股份有限公司;廣東美的制冷設備有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/217 | 分類號: | H02M7/217;H02M3/158 |
| 代理公司: | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 汪海屏;王淑梅 |
| 地址: | 528311 廣東省佛山市順德區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 升降 驅動 電路 空調器 方法 計算機 可讀 存儲 介質 | ||
1.一種升降壓驅動電路,其特征在于,包括:
降壓型電路,所述降壓型電路被配置為能夠對供電信號進行降壓處理或整流處理,所述降壓型電路包括:
橋式電路,所述橋式電路的兩路相鄰的橋臂均設有一個雙向導通功率管,所述降壓型電路中的另兩路相鄰的橋臂分別設置有第一反向阻斷開關管和第二反向阻斷開關管;
第三反向阻斷開關管,所述第三反向阻斷開關管的兩端連接至所述橋式電路的輸出端;
升壓型電路,所述升壓型電路的輸入端連接至所述第三反向阻斷開關管的輸出端,所述升壓型電路被配置為能夠對所述供電信號進行升壓調制。
2.根據權利要求1所述的升降壓驅動電路,其特征在于,還包括:
感性元件,所述感性元件的第一端連接至所述第三反向阻斷開關管的高壓輸出端,所述感性元件的第二端連接至所述升壓型電路的高壓輸入端。
3.根據權利要求2所述的升降壓驅動電路,其特征在于,所述升壓型電路包括:
第一功率管,連接于所述感性元件的第二端與所述第三反向阻斷開關管的低壓輸出端之間;
第二功率管,連接于所述感性元件的第二端與負載的高壓輸入端之間;
容性元件,連接于所述負載的高壓輸入端與所述第三反向阻斷開關管的低壓輸出端之間,所述第三反向阻斷開關管的低壓輸出端與所述負載的低壓輸入端為共端點,
其中,控制所述第一功率管和第二功率管交替導通,以對所述供電信號進行升壓調制。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的升降壓驅動電路,其特征在于,反向阻斷開關管具體包括:
第一N溝道金屬氧化物半導體管和第二N溝道金屬氧化物半導體管,兩個所述N溝道金屬氧化物半導體管的漏極相接;
比較器,所述第一N溝道金屬氧化物半導體管的源極連接至所述比較器的第一輸入端,所述第二N溝道金屬氧化物半導體管的源極連接至所述比較器的第二輸入端;
控制器,所述控制器的輸入端連接至所述比較器的輸出端,所述控制器的輸出端連接至N溝道金屬氧化物半導體管的柵極。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的升降壓驅動電路,其特征在于,反向阻斷開關管包括:
第一P溝道金屬氧化物半導體管和第二P溝道金屬氧化物半導體管,兩個所述P溝道金屬氧化物半導體管的源極相接;
比較器,所述第一P溝道金屬氧化物半導體管的漏極連接至所述比較器的第一輸入端,所述第二P溝道金屬氧化物半導體管的漏極連接至所述比較器的第二輸入端;
控制器,所述控制器的輸入端連接至所述比較器的輸出端,所述控制器的輸出端連接至P溝道金屬氧化物半導體管的柵極。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的升降壓驅動電路,其特征在于,反向阻斷開關管包括:
串聯的二極管和金屬氧化物半導體管,所述金屬氧化物半導體管設有反并聯的二極管,所述二極管的導通方向與所述反并聯的二極管的導通方向相反。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的升降壓驅動電路,其特征在于,所述第一反向阻斷開關管和或或所述第二反向阻斷開關管為二極管。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的升降壓驅動電路,其特征在于,
所述第三反向阻斷開關管為二極管。
9.根據權利要求3所述的升降壓驅動電路,其特征在于,
所述第二功率管為二極管。
10.一種空調器,其特征在于,包括:
電機;
如權利要求1至9中任一項所述的升降壓驅動電路,所述驅動電路被配置為控制所述電機運行。
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