[發明專利]一種半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010187392.2
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111276532A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 張傲峰;李建財
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

1.一種半導體器件，其特征在于，其包括：

襯底；

源極，形成于所述襯底中的一側；

漏極，形成于所述襯底中相對于所述源極的另一側；

柵極，其形成于所述襯底表面；

第一隔離結構，其位于所述柵極鄰近所述漏極的一側，且由所述柵極中向下延伸至所述襯底中；

第二隔離結構，其位于所述第一隔離結構鄰近所述漏極的一側，且由所述柵極中延伸至所述襯底中；

所述第一隔離結構的深度與所述第一隔離結構的深度不相同。

2.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述第一隔離結構的深度大于所述第一隔離結構的深度。

3.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述第一隔離結構的深度大于所述第一隔離結構的深度。

4.根據權利要求2或3所述一種半導體器件，其特征在于，所述第一隔離結構與所述第二隔離結構之間存在一第一預設間距。

5.根據權利要求4所述一種半導體器件，其特征在于，所述第一預設間距為0-0.12μm。

6.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述第一隔離結構的深度為所述第二隔離結構深度的1/3倍-2/3倍。

7.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述第一隔離結構的深度為

8.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述第一隔離結構與所述第二隔離結構寬度之和為0.15μm-0.3μm。

9.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述柵極覆蓋部分所述第二隔離結構。

10.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，其至少包括以下步驟：

提供一襯底；

通過第一次刻蝕在所述襯底中形成第一溝槽和第二溝槽；

對所述第一溝槽或所述第二溝槽進行第二次刻蝕，獲得第三溝槽；

在所述第一溝槽或所述第二溝槽和所述第三溝槽中填充隔離材料，獲得第一隔離結構和第二隔離結構，所述第一隔離結構的深度與所述第一隔離結構的深度不相同；

在所述襯底表面形成柵極，所述柵極覆蓋所述第一隔離結構和所述第二隔離結構；

在所述柵極遠離所述第一隔離結構和所述第二隔離結構的一側形成源極，在所述柵極靠近所述第一隔離結構和所述第二隔離結構的一側形成漏極。