[發明專利]負型光阻混合物及光阻圖案形成方法

有效

• 申請號: 202010187210.1
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111176072B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 高攀
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/038;G03F7/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種負型光阻混合物，其特征在于，包括負型光阻材料和與所述負型光阻材料混合的香豆素衍生線性聚合物，在光照時，所述香豆素衍生線性聚合物形成體型凝膠。

2.根據權利要求1所述的負型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生線性聚合物為鄰羥基肉桂酸的香豆素母環聚合而成。

3.根據權利要求1所述的負型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生線性聚合物為鄰羥基肉桂酸乙酯的香豆素母環聚合而成。

4.根據權利要求1所述的負型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生線性聚合物的重量平均分子量小于所述負型光阻材料的重量平均分子量。

5.一種光阻圖案形成方法，其特征在于，包括：

整層涂布混合有香豆素衍生線性聚合物的負型光阻材料，以形成一負型光阻層；

使用掩模構件對所述負型光阻層的遮光部分進行遮光；

對所述負型光阻層未被所述掩模構件遮住的部分進行曝光，形成曝光部分，所述曝光部分包括所述負型光阻層和包裹所述負型光阻層的體型凝膠；

使用顯影液對負型光阻層進行蝕刻，去除遮光部分，形成負型光阻圖案。

6.根據權利要求5所述的光阻圖案形成方法，其特征在于，所述光阻圖案形成方法還包括：

提供香豆素衍生線性聚合物和負型光阻材料，在一承載構件內先倒入負型光阻材料，將香豆素衍生線性聚合物慢慢倒入所述承載構件內，攪拌使所述負型光阻材料和所述香豆素衍生線性聚合物充分混合，得到混合有香豆素衍生線性聚合物的負型光阻材料。

7.根據權利要求5所述的光阻圖案形成方法，其特征在于，所述光阻圖案形成方法的步驟還包括：

用350納米至380納米范圍的紫外光對所述曝光部分進行曝光。

8.根據權利要求7所述的光阻圖案形成方法，其特征在于，所述光阻圖案形成方法的步驟還包括：

用365納米的紫外光對所述曝光部分進行曝光。

9.根據權利要求5所述的光阻圖案形成方法，其特征在于，所述光阻圖案形成方法的步驟還包括：用240納米至270納米范圍的紫外光照射所述曝光部分，使所述體型凝膠解離成可溶型線性聚合物。

10.根據權利要求9所述的光阻圖案形成方法，其特征在于，所述光阻圖案形成方法的步驟還包括：

用254納米的紫外光照射所述曝光部分，使所述體型凝膠解離成可溶型線性聚合物。