[發明專利]一種薄膜體聲波諧振器及其制造方法及濾波器、電子設備

在審

• 申請號: 202010187154.1
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN112039476A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 黃河;羅海龍;李偉
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

1.一種薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，包括形成電極層，刻蝕所述電極層，所述刻蝕電極層的步驟包括：

在所述電極層上形成光阻擋層,所述光阻擋層能夠阻止光線的通過，并能作為圖形化所述電極層的掩膜層；

在所述光阻擋層上形成光敏材料層；

以所述光敏材料層作為掩膜，刻蝕所述光阻擋層，使所述光阻擋層形成的圖案與預形成在所述電極層上的圖案相同；

以所述光阻擋層作為掩膜，刻蝕所述電極層，在所述電極層中形成作為有效諧振區邊界的至少兩個側面，相鄰兩側面圍成有一夾角，所述夾角的圓弧半徑小于1微米。

2.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，刻蝕所述電極層后，還包括:去除所述光阻擋層。

3.根據權利要求2所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述光阻擋層的材質為無定型碳，用灰化方法去除所述光阻擋層或，所述光阻擋層的材料為二氧化硅，用氫氟酸溶劑去除所述光阻擋層。

4.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述光阻擋層的材料包括：無定型碳、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。

5.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，刻蝕所述光阻擋層后，刻蝕所述電極層前還包括：去除所述光敏材料層。

6.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，在所述電極層上形成光阻擋層包括：通過沉積工藝在所述電極層上形成厚度為1000埃至1微米的光阻擋層。

7.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，

當所述光阻擋層的材料為無定形碳時，刻蝕所述光阻擋層包括：對所述光敏材料層進行曝光、顯影后，在壓力為10～30毫托的環境下，刻蝕氣體采用氧氣和四氟化碳刻蝕所述光阻擋層；

當所述光阻擋層的材料為二氧化硅或氮化硅時，刻蝕所述光阻擋層包括：對所述光敏材料層進行曝光、顯影后，在壓力為50～100毫托的環境下，刻蝕氣體采用四氟化碳或八氟環丁烷或八氟環戊烯刻蝕所述光阻擋層。

8.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述電極層的材料為鉬，刻蝕所述電極層包括：在壓力為10～50mtorr的環境下，采用氟化硫刻蝕氣體刻蝕所述電極層。

9.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述諧振器包括第一電極層和第二電極層，所述電極層為所述諧振器的第二電極層，所述制造方法還包括：

提供第二襯底；

在所述第二襯底上形成壓電疊層結構，所述壓電疊層結構包括依次沉積在所述第二襯底上的第一電極層、壓電層及第二電極層；

通過所述刻蝕電極層的步驟對所述第二電極層進行刻蝕，所述至少兩個側面構成有效諧振區的部分邊界。

10.根據權利要求9所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，所述電極層還包括所述諧振器的第一電極層，所述制造方法還包括：

刻蝕所述第二電極層后，在所述第二電極層上形成支撐層，所述支撐層的材質包括：二氧化硅、氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的一種或多種組合；

在所述支撐層中形成所述空腔，所述空腔貫穿所述支撐層；

提供第一襯底，將所述第一襯底鍵合在所述支撐層上，所述第一襯底覆蓋所述空腔；

去除所述第二襯底，暴露出所述第一電極層；

通過所述刻蝕電極層的步驟對所述第一電極層進行刻蝕，所述至少兩個側面構成有效諧振區的部分邊界。

11.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，刻蝕所述電極層形成的所述側面為電極層中形成的溝槽的內側壁。