[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010186755.0
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111725296A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 松野吉德;谷岡壽一;折附泰典;濱野健一;花野尚慎
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

襯底；

層間絕緣膜，其設置于所述襯底之上；

柵極焊盤，其設置于所述層間絕緣膜之上；

源極電極，其設置于所述層間絕緣膜之上，在俯視觀察時與柵極焊盤的一部分相對；

線狀的源極配線，其設置于所述層間絕緣膜之上，在俯視觀察時與所述柵極焊盤的一部分相對而不與所述源極電極相對，該源極配線與所述源極電極連接；以及

柵極配線，其設置于所述層間絕緣膜之上，與所述柵極焊盤電連接，

所述襯底具有：第1導電型的漂移層；第2導電型的阱層，其設置于所述漂移層之上；以及高雜質濃度區域，其在所述阱層之上，設置于所述柵極配線和所述柵極焊盤的正下方，

所述高雜質濃度區域的第1導電型雜質的濃度比所述漂移層的第1導電型雜質的濃度大，

在俯視觀察時，所述源極配線和所述柵極配線提供將所述源極電極包圍的1個框。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，具有：

多晶硅，其設置于所述層間絕緣膜中，將所述柵極配線與所述柵極焊盤連接，

在俯視觀察時，所述源極配線的兩端與所述源極電極相接。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極焊盤設置于所述源極電極的角部。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極配線的一端與所述柵極焊盤相接。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極配線與所述柵極焊盤的端部相接。

6.根據權利要求4或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極焊盤設置于所述源極電極的角部。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，具有：

電流感測焊盤，其設置于所述襯底之上，供所述襯底的主電流的一部分流過；以及

線狀的源極延長部，其設置于所述襯底之上，在俯視觀察時與所述電流感測焊盤的一部分相對而不與所述源極電極相對，該源極延長部與所述源極電極連接。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，具有：

溫度感測二極管，其形成于所述襯底；

溫度感測焊盤，其設置于所述襯底之上，與所述溫度感測二極管相接；以及

線狀的源極延長部，其設置于所述襯底之上，在俯視觀察時與所述溫度感測焊盤的一部分相對而不與所述源極電極相對，該源極延長部與所述源極電極連接。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

具有與所述柵極焊盤連接的柵極襯里，所述高雜質濃度區域設置于所述柵極襯里的正下方。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述襯底由寬帶隙半導體形成。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導體是碳化硅、氮化鎵類材料或金剛石。

12.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

襯底；

層間絕緣膜，其設置于所述襯底之上；

四邊形的柵極焊盤，其設置于所述層間絕緣膜之上，一邊小于或等于400μm；

源極電極，其設置于所述層間絕緣膜之上，在俯視觀察時與柵極焊盤的一部分相對；以及

柵極配線，其設置于所述層間絕緣膜之上，在俯視觀察時將所述源極電極的整體包圍，該柵極配線與所述柵極焊盤相接，

所述襯底具有：第1導電型的漂移層；第2導電型的阱層，其設置于所述漂移層之上；以及高雜質濃度區域，其在所述阱層之上，設置于所述柵極焊盤的正下方，

所述高雜質濃度區域的第1導電型雜質的濃度比所述漂移層的第1導電型雜質的濃度大。