[發明專利]存儲器陣列、集成組合件、形成位線的方法以及形成集成組合件的方法

在審

• 申請號: 202010186390.1
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN112071839A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 祐川光成;竹谷博昭
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器陣列，其包括：

位線，所述位線通過中間空隙彼此間隔開；

字線，所述字線與所述位線豎直偏移并且與所述位線交叉；以及

存儲器單元，所述存儲器單元靠近所述字線與所述位線交叉的位置；所述存儲器單元中的每個存儲器單元通過字線和位線的組合唯一地尋址；所述存儲器單元中的每個存儲器單元的側外圍配合在4F²的區域內。

2.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述位線沿著第一方向延伸并且具有沿著與所述第一方向正交的橫截面的第一寬度；并且其中所述空隙具有沿著所述橫截面的第二寬度，所述第二寬度至少與所述第一寬度一樣大。

3.根據權利要求2所述的存儲器陣列，其中所述第二寬度大于所述第一寬度。

4.根據權利要求3所述的存儲器陣列，其中所述第二寬度至少是所述第一寬度的約兩倍。

5.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述空隙具有沿著橫截面的外圍；所述外圍具有底部區域和側壁區域；所述空隙的所述外圍的所述底部區域和所述側壁區域由氮化硅界定。

6.一種集成組合件，其包括：

位線，所述位線通過中間空隙彼此間隔開；

絕緣支撐物，所述絕緣支撐物處于所述位線上方；以及

導電板，所述導電板由所述絕緣支撐物支撐并且靠近所述位線以從所述位線排出過量電荷。

7.根據權利要求6所述的集成組合件，其中所述導電板與參考源電耦合。

8.根據權利要求7所述的集成組合件，其中所述參考源具有接地電壓。

9.根據權利要求6所述的集成組合件，其中所述中間空隙延伸到所述導電板的下表面。

10.根據權利要求6所述的集成組合件，其中所述導電板包括金屬氮化物。

11.根據權利要求6所述的集成組合件，其中所述導電板包括氮化鈦。

12.根據權利要求6所述的集成組合件，其中所述空隙具有沿著橫截面的外圍；所述外圍具有底部區域和側壁區域；所述空隙的所述外圍的所述底部區域和所述側壁區域由氮化硅界定。

13.根據權利要求6所述的集成組合件，其包括：

字線，所述字線與所述位線豎直偏移并且與所述位線交叉；以及

存儲器單元，所述存儲器單元靠近所述字線與所述位線交叉的位置；所述存儲器單元中的每個存儲器單元通過字線和位線的組合唯一地尋址；所述存儲器單元中的每個存儲器單元的側外圍配合在4F²的區域內。

14.一種集成組合件，其包括：

一行豎直延伸的半導體柱；所述半導體柱中的每個半導體柱包括晶體管溝道區域，所述晶體管溝道區域豎直安置在第一源極/漏極區域與第二源極/漏極區域之間；

字線，所述字線沿著所述行豎直延伸的半導體柱延伸，并且鄰近于所述半導體柱的所述晶體管溝道區域；所述字線具有第一側表面和相對的第二側表面；所述半導體柱被細分為沿著所述第一側表面的第一組和沿著所述第二側表面的第二組；所述第一組的所述半導體柱沿著所述行與所述第二組的所述半導體柱交替；

柵極介電材料，所述柵極介電材料處于所述第一側表面與所述第一組的所述半導體柱的所述晶體管溝道區域之間，并且處于所述第二側表面與所述第二組的所述半導體柱的所述晶體管溝道區域之間；

導電屏蔽材料，所述導電屏蔽材料處于所述第一組的所述半導體柱之間，并且處于所述第二組的所述半導體柱之間；

位線，所述位線與所述第一源極/漏極區域耦合，所述位線通過空隙彼此間隔開并且可操作地靠近導電板，所述導電板被配置成從所述位線排出過量電荷；以及

存儲元件，所述存儲元件與所述第二源極/漏極區域耦合。