[發(fā)明專利]具有抗酸層的半導體器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010185211.2
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN111463224B
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發(fā)明（設計）人: 朱胤碩;尤啟中;方立言;張?zhí)砩?/a>;梁耀祥;蔡旻志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

提供具有前側和背側的襯底；

在所述襯底的所述前側上方形成互連結構；

在所述互連結構上方形成鈍化層，其中所述鈍化層具有多個開口；

在所述開口中形成抗酸層；

在所述抗酸層上方形成接合層；

導電凸塊結構，形成在所述接合層上方，其中所述導電凸塊結構電連接至所述接合層，所述導電凸塊結構完全覆蓋所述抗酸層與所述接合層之間的整個接觸面所在區(qū)域；以及

在所述襯底的所述背側上方或在所述接合層上方形成多個像素區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的用于形成半導體器件的方法，其中，在相同的腔室中實施形成所述抗酸層和形成所述接合層。

3.根據(jù)權利要求1所述的用于形成半導體器件的方法，其中，形成在所述開口中的所述抗酸層包括：

在所述開口中形成金屬氮化物層；以及

在所述金屬氮化物層上方形成金屬層。

4.一種用于形成互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構的方法，包括：

提供具有前側和背側的襯底；

在所述襯底的所述前側上方形成互連結構；

在所述互連結構上方形成抗酸層；

在所述抗酸層上方形成接合層；

在所述接合層上方形成鈍化層；以及

在所述鈍化層中形成導電凸塊結構，其中所述導電凸塊結構電連接至所述接合層；

提供具有另一互連結構和設置在其上的多個像素區(qū)域的另一襯底；

將所述另一襯底接合到所述襯底的所述接合層，

其中，所述抗酸層具有在所述導電凸塊結構下方延伸以及在所述導電凸塊結構之間延伸的連續(xù)延伸部分，并且所述連續(xù)延伸部分橫跨所述多個像素區(qū)域。

5.根據(jù)權利要求4所述的用于形成互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構的方法，其中，所述接合為包括金屬至金屬接合和非金屬至非金屬接合的混合接合。

6.根據(jù)權利要求4所述的用于形成互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構的方法，其中，形成所述抗酸層包括：金屬氮化物層和金屬層。

7.根據(jù)權利要求6所述的用于形成互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構的方法，其中，所述金屬氮化物層是氮化鉭，并且所述金屬層是鉭。

8.根據(jù)權利要求7所述的用于形成互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構的方法，其中，所述鉭是β相鉭。

9.根據(jù)權利要求6所述的用于形成互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構的方法，其中，所述金屬氮化物層是氮化鈦，并且所述金屬層是鈦。

10.根據(jù)權利要求4所述的用于形成互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構的方法，進一步包括：

在所述接合之后在所述另一襯底上提供多個微透鏡。

11.一種互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構，包括：

柵電極層，形成在第一襯底上方；

互連結構，形成在所述柵電極層上方；

抗酸層，形成在所述互連結構上方；

接合層，形成在所述抗酸層上方，所述接合層由導電材料制成；

鈍化層，形成在所述接合層上方；以及

導電凸塊結構，形成在所述鈍化層中，其中所述導電凸塊結構電連接至所述接合層，

第二襯底，形成在所述第一襯底的下方；和

多個像素區(qū)域，形成在所述第二襯底中，

其中，所述抗酸層具有在所述導電凸塊結構下方延伸以及在所述導電凸塊結構之間延伸的連續(xù)延伸部分，并且所述連續(xù)延伸部分橫跨所述多個像素區(qū)域。

12.根據(jù)權利要求11所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器結構，其中，所述抗酸層包括金屬氮化物層和金屬層，并且所述金屬氮化物層包括與所述金屬層相同的金屬元素。