[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010181672.2
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111834319A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔圭桭;金成煥;朱昶垠;權(quán)柒佑;林榮奎;李晟旭
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉雪珂;王秀君

1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括：主體，具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面；連接墊，設(shè)置在所述主體的所述第一表面上；和擴展墊，設(shè)置在所述連接墊上；以及

連接結(jié)構(gòu)，所述連接結(jié)構(gòu)包括：絕緣層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的所述主體的所述第一表面上；重新分布過孔，貫穿所述絕緣層并且具有與所述擴展墊接觸的一側(cè)；和重新分布層，設(shè)置在所述絕緣層上并且具有與所述重新分布過孔的另一側(cè)接觸的過孔墊，

其中，所述半導(dǎo)體芯片的所述擴展墊的水平截面面積大于所述半導(dǎo)體芯片的所述連接墊的水平截面面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述半導(dǎo)體芯片的所述擴展墊的水平截面面積大于所述重新分布層的所述過孔墊的水平截面面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述擴展墊的水平截面面積與所述連接墊的水平截面面積的比為2:1至6:1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述重新分布過孔的與所述擴展墊接觸的表面的至少一部分設(shè)置為位于與所述連接墊重疊的區(qū)域的外部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述半導(dǎo)體芯片的中心軸設(shè)置為從所述連接結(jié)構(gòu)的中心軸偏移，并且所述擴展墊的中心軸設(shè)置為從所述重新分布過孔的中心軸偏移。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述半導(dǎo)體芯片的中心軸和所述連接結(jié)構(gòu)的中心軸之間的間距等于所述擴展墊的中心軸和所述重新分布過孔的中心軸之間的間距。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述半導(dǎo)體芯片的中心軸設(shè)置在與所述連接結(jié)構(gòu)的中心軸相同的線上，并且所述擴展墊的中心軸設(shè)置為從所述重新分布過孔的中心軸偏移。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述半導(dǎo)體芯片還包括鈍化膜，所述鈍化膜設(shè)置在所述主體的所述第一表面上并且具有使所述連接墊的至少一部分暴露的開口，

其中，所述鈍化膜的至少一部分設(shè)置在所述連接墊和所述擴展墊之間，

其中，所述擴展墊具有連接部分和擴展部分，所述連接部分填充所述鈍化膜的所述開口，所述擴展部分形成在所述鈍化膜上并且與所述重新分布過孔接觸，

其中，所述擴展墊的所述擴展部分的水平截面面積大于所述擴展墊的所述連接部分的水平截面面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述擴展墊的所述擴展部分的水平截面面積與所述擴展墊的所述連接部分的水平截面面積的比為2:1至6:1。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述重新分布過孔的與所述擴展墊的所述擴展部分接觸的表面的至少一部分設(shè)置為位于在平面上與所述連接部分重疊的區(qū)域的外部。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括框架，所述框架具有圍繞所述半導(dǎo)體芯片的通孔，

其中，所述半導(dǎo)體芯片的中心軸從所述通孔的中心軸和所述連接結(jié)構(gòu)的中心軸偏移。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述絕緣層包括感光絕緣層材料，所述感光絕緣材料包含感光介電樹脂。